[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及热辅助磁记录介质和使用该热辅助磁记录介质而成的磁存储装置。

背景技术

通过对介质照射近场光等来使表面局部受热、降低介质的矫顽力、从而进行写入的热辅助记录方法，作为可以实现约1Tbit/inch²或更高的面记录密度的新一代记录方式受到人们关注。在使用热辅助记录时，即使对于室温下矫顽力为几十个kOe的记录介质，目前也可以通过磁头的记录磁场轻松地进行写入。因此，记录层可以使用具有约10⁶J/m³～10⁷J/m³的高磁晶各向异性Ku的材料，可以在保持热稳定性的情况下使磁性粒子粒径变细微至6nm以下。作为这种高Ku材料，已知具有L1₀型结晶结构的FePt合金(Ku：7×10⁶J/m³)、CoPt合金(Ku：5×10⁶J/m³)等。

当磁性层中使用具有L1₀型结晶结构的FePt合金时，需要使该FePt合金采取(001)取向。因此，优选在基底层中使用(100)取向的MgO。为了使MgO的(100)面与L1₀型FePt合金的(001)面的晶格整合性良好，可以通过在(100)取向的MgO基底层上形成L1₀型FePt磁性层来使该磁性层呈(001)取向。

另一方面，即使是热辅助记录介质，为了降低介质噪音，提高信噪比，也需要使磁性粒子粒径细微化。为了使磁性粒子粒径细微化。有效的方法是在磁性层中添加作为晶界偏聚材料的SiO₂、TiO₂等氧化物。这是由于，磁性层中的FePt晶体会呈被SiO₂、TiO₂包围起来的粒状结构的缘故。

磁性结晶的粒径可以通过增加晶界偏聚材料的添加量来细微化。例如，在J.Appl.Phys.104，023904，2008中记载了，可以通过在FePt中添加20体积％的TiO₂来使磁性粒子粒径降低到5nm。此外，在IEEE.Trans.Magn.，vol.45，839，2008中记载了，通过在FePt中添加50体积％的SiO₂，可以降低磁性粒子粒径至2.9nm。

发明内容

热辅助记录介质中希望使用具有高Ku的、L1₀结构的FePt合金等。为了降低热辅助记录介质的介质噪音，需要使上述FePt合金晶粒变得细微。因此，优选在磁性层中添加SiO₂、TiO₂等氧化物和/或碳等添加材料(晶界偏聚材料)。但尽管添加晶界偏聚材料会有效使磁性晶体粒径细微化，却难以降低粒径分散。

如上所述，由L1₀结构的FePt合金形成的磁性层，通常是在MgO基底层上形成的。当MgO基底层的晶体粒径大时，会在1个MgO晶粒上生长出多个FePt晶粒。这种情况下，各FePt晶粒粒径不均匀，粒径分布变宽。由于粒径均匀化是提高介质信噪比所必需的，因此，为了实现高介质信噪比，需要在使磁性晶粒细微化的同时，使MgO基底层的粒径也细微化。

鉴于上述背景技术，本发明的目的是提供，磁性晶粒均匀，并且开关场分布(SFD：Switching Field Distribution)窄的热辅助记录介质。

本发明的另一目的是提供，包含具有上述特性的热辅助记录介质，显示出高信噪比的磁存储装置。

因而，根据本发明，提供了下面的热辅助磁记录介质。

(1).一种热辅助磁记录介质，包含：基板，在该基板上形成的多个基底层，以及含有具有L1₀结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层中的至少1层含有MgO作为主成分，并且含有至少1种熔点为2000℃以上的金属元素。

(2).如上述(1)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，熔点为2000℃以上的金属元素是选自Nb、Mo、Ru、Ta和W中的至少1种。

(3).如上述(1)或(2)所述的热辅助磁记录介质，含有MgO作为主成分的基底层中熔点为2000℃以上的金属元素的含量为该含有MgO的基底层的2～40原子％。

(4).如上述(1)或(2)所述的热辅助磁记录介质，含有MgO作为主成分的基底层形成在由Cr构成的、或含有Cr作为主成分的BCC结构基底层上。