[发明专利]用于降低电源域内的电源干扰的装置有效
申请号: | 201110039857.0 | 申请日: | 2011-02-17 |
公开(公告)号: | CN102201732A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 刘兴强;张弛 | 申请(专利权)人: | 北京昆腾微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100097 北京市海淀区蓝靛厂*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 降低 电源 域内 干扰 装置 | ||
1.一种用于降低电源域内的电源干扰的装置,其特征在于,包括:
第一N型场效应管,栅极为输入端;
第一P型场效应管,栅极和漏极与所述第一P型场效应管的漏极连接,源极与电源连接;
第二P型场效应管,栅极与所述第一P型场效应管的漏极连接,源极与所述电源连接,漏极为第一输出端;
第二N型场效应管,栅极与所述第一N型场效应管的漏极连接,源极与所述第一N型场效应管的源极连接,漏极与所述第二P型场效应管的漏极连接;
第三N型场效应管,栅极与所述第一N型场效应管的漏极连接,源极与所述第一N型场效应管的源极连接,漏极与所述电源连接;
第四N型场效应管,栅极与所述电源连接,源极与地连接,漏极与所述第一N型场效应管的源极连接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置包括:
第一状态,所述第一N型场效应管、所述第四N型场效应管、所述第一P型场效应管和所述第二P型场效应管导通,所述第二N型场效应管和所述第三N型场效应管关断;
第二状态,所述第一N型场效应管、所述第二P型场效应管和所述第二N型场效应管关断,所述第一P型场效应管、所述第三N型场效应管和所述第四N型场效应管导通。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,在所述第一状态和所述第二状态中,所述第四N型场效应管饱和导通。
4.根据权利要求1-3任一所述的装置,其特征在于,还包括:
轨到轨放大器,与所述第一输出端连接。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述轨到轨放大电路包括:
第三P型场效应管,源极与所述电源连接,栅极与所述第一输出端连接,漏极为第二输出端;
第五N型场效应管,栅极与所述第一输出端连接,源极与地连接,漏极与所述第三P型场效应管的漏极连接。
6.一种用于降低电源域内的电源干扰的装置,其特征在于,包括:
第四P型场效应管,源极与电源连接,栅极与地连接;
第五P型场效应管,源极与所述第四P型场效应管的漏极连接,栅极为输入端;
第六P型场效应管,源极与所述第四P型场效应管的漏极连接,漏极和栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接;
第七P型场效应管,源极与所述第四P型场效应管的漏极连接,栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接,漏极与所述地连接;
第六N型场效应管,源极与所述地连接,漏极和栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接;
第七N型场效应管,源极与所述地连接,栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接,漏极为第一输出端。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置包括:
第三状态,所述第四P型场效应管、第五P型场效应管、所述第六N型场效应管和所述第七N型场效应管导通,所述六P型场效应管和所述第七P型场效应管关断;
第四状态,所述第四P型场效应管导通,所述第五P型场效应管关断,所述第六P型场效应管关断,所述第七P型场效应管导通,所述第六P型场效应管导通,所述第七P型场效应管关断。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,在所述第三状态和所述第四状态中,所述第四P型场效应管饱和导通。
9.根据权利要求6-8任一所述的装置,其特征在于,还包括:
轨到轨放大器,与所述第一输出端连接。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述轨到轨放大电路包括:
第三P型场效应管,源极与所述电源连接,栅极与所述第一输出端连接,漏极为第二输出端;
第五N型场效应管,栅极与所述第一输出端连接,源极与地连接,漏极与所述第三P型场效应管的漏极连接。
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