[发明专利]用于降低电源域内的电源干扰的装置有效

专利信息
申请号: 201110039857.0 申请日: 2011-02-17
公开(公告)号: CN102201732A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 刘兴强;张弛 申请(专利权)人: 北京昆腾微电子有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100097 北京市海淀区蓝靛厂*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 降低 电源 域内 干扰 装置
【权利要求书】:

1.一种用于降低电源域内的电源干扰的装置,其特征在于,包括:

第一N型场效应管,栅极为输入端;

第一P型场效应管,栅极和漏极与所述第一P型场效应管的漏极连接,源极与电源连接;

第二P型场效应管,栅极与所述第一P型场效应管的漏极连接,源极与所述电源连接,漏极为第一输出端;

第二N型场效应管,栅极与所述第一N型场效应管的漏极连接,源极与所述第一N型场效应管的源极连接,漏极与所述第二P型场效应管的漏极连接;

第三N型场效应管,栅极与所述第一N型场效应管的漏极连接,源极与所述第一N型场效应管的源极连接,漏极与所述电源连接;

第四N型场效应管,栅极与所述电源连接,源极与地连接,漏极与所述第一N型场效应管的源极连接。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置包括:

第一状态,所述第一N型场效应管、所述第四N型场效应管、所述第一P型场效应管和所述第二P型场效应管导通,所述第二N型场效应管和所述第三N型场效应管关断;

第二状态,所述第一N型场效应管、所述第二P型场效应管和所述第二N型场效应管关断,所述第一P型场效应管、所述第三N型场效应管和所述第四N型场效应管导通。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,在所述第一状态和所述第二状态中,所述第四N型场效应管饱和导通。

4.根据权利要求1-3任一所述的装置,其特征在于,还包括:

轨到轨放大器,与所述第一输出端连接。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述轨到轨放大电路包括:

第三P型场效应管,源极与所述电源连接,栅极与所述第一输出端连接,漏极为第二输出端;

第五N型场效应管,栅极与所述第一输出端连接,源极与地连接,漏极与所述第三P型场效应管的漏极连接。

6.一种用于降低电源域内的电源干扰的装置,其特征在于,包括:

第四P型场效应管,源极与电源连接,栅极与地连接;

第五P型场效应管,源极与所述第四P型场效应管的漏极连接,栅极为输入端;

第六P型场效应管,源极与所述第四P型场效应管的漏极连接,漏极和栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接;

第七P型场效应管,源极与所述第四P型场效应管的漏极连接,栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接,漏极与所述地连接;

第六N型场效应管,源极与所述地连接,漏极和栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接;

第七N型场效应管,源极与所述地连接,栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接,漏极为第一输出端。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置包括:

第三状态,所述第四P型场效应管、第五P型场效应管、所述第六N型场效应管和所述第七N型场效应管导通,所述六P型场效应管和所述第七P型场效应管关断;

第四状态,所述第四P型场效应管导通,所述第五P型场效应管关断,所述第六P型场效应管关断,所述第七P型场效应管导通,所述第六P型场效应管导通,所述第七P型场效应管关断。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,在所述第三状态和所述第四状态中,所述第四P型场效应管饱和导通。

9.根据权利要求6-8任一所述的装置,其特征在于,还包括:

轨到轨放大器,与所述第一输出端连接。

10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述轨到轨放大电路包括:

第三P型场效应管,源极与所述电源连接,栅极与所述第一输出端连接,漏极为第二输出端;

第五N型场效应管,栅极与所述第一输出端连接,源极与地连接,漏极与所述第三P型场效应管的漏极连接。

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