[发明专利]用于降低电源域内的电源干扰的装置

说明书

技术领域

本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种用于降低电源域内的电源干扰的装置。

背景技术

在半导体封装工艺中，采用键合线将芯片与载板连接在一起。其中，连接在芯片与电源之间的键合线以及连接在芯片和地之间的键合线等效为一个电感，在芯片工作过程中，这些电感会产生振荡信号，这些振荡信号使得电源域内的电源与地之间的电流非常的不稳定，导致对电源域内的电源的干扰较大。

如何降低这些振荡信号对电源的干扰成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种用于降低电源域内的电源干扰的装置，用以实现降低键合线产生的振荡信号对电源域内的电源的干扰。

本发明提供一种用于降低电源域内的电源干扰的装置，包括：

第一N型场效应管，栅极为输入端；

第一P型场效应管，栅极和漏极与所述第一P型场效应管的漏极连接，源极与电源连接；

第二P型场效应管，栅极与所述第一P型场效应管的漏极连接，源极与所述电源连接，漏极为第一输出端；

第二N型场效应管，栅极与所述第一N型场效应管的漏极连接，源极与所述第一N型场效应管的源极连接，漏极与所述第二P型场效应管的漏极连接；

第三N型场效应管，栅极与所述第一N型场效应管的漏极连接，源极与所述第一N型场效应管的源极连接，漏极与所述电源连接；

第四N型场效应管，栅极与所述电源连接，源极与地连接，漏极与所述第一N型场效应管的源极连接。

本发明还提供一种用于降低电源域内的电源干扰的装置，包括：

第四P型场效应管，源极与电源连接，栅极与地连接；

第五P型场效应管，源极与所述第四P型场效应管的漏极连接，栅极为输入端；

第六P型场效应管，源极与所述第四P型场效应管的漏极连接，漏极和栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接；

第七P型场效应管，源极与所述第四P型场效应管的漏极连接，栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接，漏极与所述地连接；

第六N型场效应管，源极与所述地连接，漏极和栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接；

第七N型场效应管，源极与所述地连接，栅极与所述第五P型场效应管的漏极连接，漏极为第一输出端。

在本实施例中，输入端为高电平和低电平的时候，第四N型场效应管均导通，导致第四N型场效应管的漏极的电流变化不大，从而降低了键合线产生的振荡信号对电源域内的电源的干扰。

附图说明

图1为本发明降低电源干扰的装置第一实施例的结构示意图；

图2为本发明降低电源干扰的装置第一实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图和具体实施方式对本发明作进一步的描述。

如图1所示，为本发明降低电源干扰的装置第一实施例的结构示意图，可以包括：第一N型场效应管11、第一P型场效应管21、第二P型场效应管22、第二N型场效应管12、第三N型场效应管13、第四N型场效应管14。

其中，第一N型场效应管11的栅极为输入端；第一P型场效应管21的栅极和漏极与第一P型场效应管21的漏极连接，源极与电源连接；第二P型场效应管22的栅极与第一P型场效应管21的漏极连接，源极与电源连接，漏极为第一输出端out1；第二N型场效应管12的栅极与第一N型场效应管的漏极连接，源极与第一N型场效应管的源极11连接，漏极与第二P型场效应管22的漏极连接；第三N型场效应管13的栅极与第一N型场效应管11的漏极连接，源极与第一N型场效应管11的源极连接，漏极与电源连接；第四N型场效应管14的栅极与电源连接，源极与地连接，漏极与第一N型场效应管11的源极连接。

本实施例的工作过程如下：输入端in为高电平的时候，该装置进入第一状态，第一N型场效应管11导通，第四N型场效应管14导通，第一P型场效应管21饱和导通，将第一P型场效应管21的漏极net1的电平拉到高电平，由于第二P型场效应管22和第一P型场效应管21形成镜像电流源，所以第二P型场效应管22也处于饱和导通状态，但是第二N型场效应管12的漏极net1与第二N型场效应管12的源极之间的电压仍然小于第二N型场效应管12的开启电压，第三N型场效应管13的漏极net1与第三N型场效应管13的源极之间的电压仍然小于第三N型场效应管13的开启电压，这个时候第二N型场效应管12和第三N型场效应管13关断，使得第一输出端out1的电平是高电平。