[发明专利]组件、调节系统、光刻装置和方法

说明书

本申请是申请日为2007年3月27日、申请号为200710089703.6、发明名称为“组件、调节系统、光刻装置和方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种包括调节系统和至少一个对象的组件、调节系统、光刻装置、用于调节区域的方法以及光刻器件的制造方法。

背景技术

光刻装置是将所需的图案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的设备。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，或者可称为掩模(mask)或中间掩模(reticle)，可用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一个或者多个管芯(die))上。这种图案的转移通常是通过成像到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般而言，单个基底包含由被相继构图的相邻靶部构成的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描器，在步进器中，对每一靶部的辐照是通过一次性将整个图案曝光到该靶部上来进行的；在扫描器中，对每一靶部的辐照是通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案穿过一辐射束，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描该基底。还可以通过将图案压印到基底上而把图案从构图部件转移到基底上。

包括调节系统和至少一个对象的组件可从现有技术了解。例如，欧洲专利EP0498499在其附图18中示出了光刻装置的一部分。该装置包括干涉仪系统以及可动基底台附近的空间，相应的干涉束在该空间中传播。期望的是恒定的层流气体(空气)流经该空间，以使该干涉仪系统具有更高精度。众所周知，对于传播过一定气体体积(如空气)的干涉束来说，该体积中的气体应该极其纯净，并具有均匀的温度，以便为该传播束提供基本上恒定的气体折射率。气体折射率的微小变化可能会产生难以接受的干涉测量误差。可以控制所供给气体的纯度和温度。在空气的情况下，该空气例如具有的纯度级为一级，其温度例如稳定在0.10℃的范围内或者更好。

发明内容

希望的是改进该组件，其中该调节系统能够良好地调节相应区域。而且，还希望提供一种改进的调节系统和方法。此外，还希望提供一种改进的光刻装置和方法。

根据发明的一个方面，提供一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和/或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。

在一实施例中，所述对象和所述调节系统构造成彼此配合，以调整从多个流体出口通道流出的调节流体的流出量。

在一实施例中，所述对象布置成一种非接触式闸，该非接触式闸包括一闸面，该闸面可移动到与至少多个流体出口通道的出口侧相面对的位置，以在没有机械接触所述出口侧的情况下限制从这些流体出口通道流出的流体流动。

在一实施例中，所述对象至少可移动到第一数量的流体出口通道的出口侧，以及可移动离开该第一数量的流体出口通道的出口侧，其中，所述调节系统布置成：当所述对象已经移动离开这些出口侧时，该第一数量的流体出口通道能将一定量的调节流体排放到该被调节区域中，以及当所述对象移动到这些出口侧时，能基本上限制从该调节系统的该第一数量的流体出口通道流出的流体流动。

在一实施例中，所述调节系统构造成：在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。

在一实施例中，所述调节系统构造成：在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约10Pa。

在一实施例中，所述调节系统构造成：在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的静压与该流体出口通道的相应下游出口侧处的动压大致相同。

在一实施例中，所述调节系统构造成：在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150。

在一实施例中，所述调节系统构造成：在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约20。

在一实施例中，各流体出口通道的长度是相应流体通道的直径的至少10至30倍。

在一实施例中，所述对象可移动到使得该对象与该调节系统限定了一狭缝的位置，该狭缝构造成向来自与该狭缝邻近的流体出口通道的流体流出物提供流动阻力；并且，所述调节系统构造成在该狭缝所提供的流动阻力的影响下显著减小来自与该狭缝邻近的流体出口通道的流出量。

在一实施例中，各流体出口通道具有蜂窝状截面。