[发明专利]光刻设备和方法有效
申请号: | 201110042174.0 | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN102122117A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 海涅·麦利·马尔德;约翰尼斯·雅克布斯·曼塞阿斯·卑斯尔曼思;艾德瑞纳斯·弗朗西斯克斯·皮卓斯·恩格伦;马卡斯·弗朗西斯克斯·安东尼斯·欧林斯;亨德瑞卡斯·罗伯特斯·玛丽·范格林温布洛克;帕特瑞卡斯·阿洛伊修斯·雅克布斯·蒂内曼斯;保罗·范德文;威尔弗莱德·爱德伍德·恩登迪基克 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 方法 | ||
1.一种方法,所述方法包括:
采用照射系统提供辐射束;
采用图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束;以及
将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上,
其中所述照射系统包括:独立可控的元件阵列以及相关的光学部件,所述独立可控的元件阵列以及相关的光学部件被设置用于将辐射束转换成所需的照射方式;以及
其中分配方案用于将不同的独立可控的元件分配给所述照射方式的不同部分,所述分配方案被选择用于提供所述照射方式或所述辐射束的至少一种属性的所需修改。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述分配方案包括:采用位于阵列的不同部分中的独立可控的元件,将辐射引导到照射方式中的相邻位置上。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述分配方案包括将所述独立可控的元件随机地分配。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述分配方案包括分配一对独立可控的元件,以将辐射引导到照射方式中的给定位置上,所述一对独立可控的元件中的每个独立可控的元件位于阵列的不同部分。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述分配方案包括选择一定数量的独立可控的元件,所述独立可控的元件将辐射引导到所述方式中的给定位置上,所述选择步骤依赖于从每个独立可控的元件所提供的辐射的强度。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述选择步骤基于所述独立可控的元件的反射率。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述选择步骤基于入射到所述独立可控的元件时的辐射束的强度。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述分配方案包括:与被分配以将辐射引导至辐射束的中心部分的独立可控的元件的数量相比,分配更多的独立可控的元件以将辐射引导到辐射束的外部,从而在将图案化的辐射束投影到衬底上的过程中,减弱辐射束的变迹效应。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述分配方案包括:顺序采用不同的独立可控的元件将辐射引导到照射方式中的给定位置上,所述独立可控的元件选自所述阵列的不同部分,以便减弱辐射束中的强度变化的效应。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述分配方案包括采用独立可控的元件的阵列的不同部分,将辐射引导到照射方式的不同区域上,所述阵列的所述部分被选择,以便应用辐射束的能量分布的所需修改。
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