[发明专利]半导体组件及具有该半导体组件的半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体组件，包括：

一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面；

一第二表面钝化层，位于该半导体基板的第二表面；

一导通柱，位于该半导体基板内，并具有一顶面；

一阻绝层，围绕该导通柱，其中该导通柱及该阻绝层凸出于该第二表面钝化层，且该导通柱的该顶面大致与该阻绝层的一阻绝层顶面共平面；及

一导电组件，覆盖该导通柱的该顶面及该阻绝层顶面。

2.如权利要求1的半导体组件，其中该导电组件为一保护盖。

3.如权利要求2的半导体组件，其中该保护盖包括一晶种层及一球下金属层，该球下金属层的一顶部宽于该球下金属层的底部，且于该球下金属层的一侧壁及该第二表面钝化层之间形成一介于70度至85度的夹角。

4.如权利要求1的半导体组件，更包括一第一表面钝化层、一球下金属层及一焊球，其中该第一表面钝化层位于该半导体基板的第一表面，该导通柱的一前端凸出于该第一表面钝化层，该球下金属层覆盖该导通柱之前端及部分该第一表面钝化层，且该焊球位于该球下金属层上。

5.如权利要求1的半导体组件，其中该导电组件为一重布层，且该半导体组件更包括：

一介电层，位于该重布层及该第二表面钝化层上，且具有一开口，以显露部分该重布层；

一第二晶种层，位于该开口内及部分该介电层上；及

一球下金属层，位于该晶种层上。

6.如权利要求5的半导体组件，更包括一个或多个布线层，位于该半导体基板的第一表面。

7.一种半导体组件，包括：

一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面；

一第二表面钝化层，位于该半导体基板的第二表面；

一导通柱，位于该半导体基板内，且具有一凸出部，该凸出部凸出于该第二表面钝化层，且具有一顶面及一侧面，其中除了该凸出部的顶面及侧面，该导通柱被一阻绝层围绕；及

一保护盖，直接形成于该导通柱的凸出部上，其中该保护盖于该导通柱的凸出部的顶面及侧面上的厚度大致均一，且该厚度至少约2μm。

8.如权利要求7的半导体组件，其中该保护盖包括一第一金属及一第二金属，该第一金属具有大致均一的厚度，且该第二金属具有大致均一的厚度。

9.如权利要求8的半导体组件，其中该第一金属为镍，且该第二金属为金、钯/金合金或锡/银合金。

10.一种半导体封装结构，包括：

一下基板；

一半导体组件，位于该下基板上，且包括：

一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面；

一第二表面钝化层，位于该半导体基板的该第二表面；

一导通柱，位于该半导体基板内，并具有一顶面；

一阻绝层，围绕该导通柱，其中该导通柱及该阻绝层凸出于该第二表面钝化层，且该导通柱的该顶面大致与该阻绝层的一阻绝层顶面共平面；及

一导电组件，覆盖该导通柱的该顶面及该阻绝层顶面；

一上半导体组件，位于该半导体组件上，且具有至少一上外部连接组件，该至少一上外部连接组件位于该上半导体组件的一表面，其中该导电组件接触该上外部连接组件，且该上外部连接组件的位置与该导通柱对齐；及

一封胶材料，包覆该下基板、该半导体组件及该上半导体组件。

11.如权利要求10的半导体封装结构，其中该导电组件为一保护盖。

12.如权利要求11的半导体封装结构，其中该保护盖包括一晶种层及一球下金属层，该球下金属层包括一铜层、一镍层、一钯层及一金层，该铜层位于该晶种层上，该镍层位于该铜层上，该钯层位于该镍层上，该金层位于该钯层上。

13.如权利要求11的半导体封装结构，其中该保护盖包括一晶种层及一球下金属层，该球下金属层包括一铜层、一镍层及一锡银合金，该铜层位于该晶种层上，该镍层位于该铜层上，该锡银合金位于该镍层上。

14.如权利要求11的半导体封装结构，其中该保护盖包括一晶种层及一球下金属层，该球下金属层的一顶部宽于该球下金属层的底部，且于该球下金属层的一侧壁及该第二表面钝化层之间形成一介于70度至85度的夹角。

15.如权利要求11的半导体封装结构，其中该保护盖大致上为球体的形状。

16.如权利要求10的半导体封装结构，其中该导电组件为一重布层，且该半导体组件更包括：

一介电层，位于该重布层及该第二表面钝化层上，且具有一开口，以显露部分该重布层；

一第二晶种层，位于该开口内及部分该介电层上；及

一球下金属层，位于该晶种层上。