[发明专利]尺寸可变型半导体芯片以及采用该芯片的半导体封装

权利要求书

1.一种尺寸可变半导体芯片，包括：

半导体芯片区域，形成有电路层；以及

至少一个切割区域，平行于所述半导体芯片区域的至少一侧延伸，并且具有彼此交替形成的多个划线部分和多个有源部分，

其中，所述尺寸可变半导体芯片的尺寸通过沿着所述划线部分中某一个切割而被选择性调整。

2.根据权利要求1所述的尺寸可变半导体芯片，还包括：

附加元件，形成在所述有源部分中。

3.根据权利要求2所述的尺寸可变半导体芯片，还包括：

至少一个熔丝电路，插设在所述电路层和每一个所述附加元件之间。

4.根据权利要求2所述的尺寸可变半导体芯片，其中所述附加元件包括无源元件、有源元件和测试电路中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的尺寸可变半导体芯片，其中所述切割区域平行于所述半导体芯片区域的两侧延伸，并且所述多个划线部分形成在所述切割区域的每一个中。

6.根据权利要求1所述的尺寸可变半导体芯片，其中所述切割区域平行于所述半导体芯片区域的四侧延伸，并且所述多个划线部分形成在所述切割区域的每一个中。

7.根据权利要求1所述的尺寸可变半导体芯片，还包括：

贯通电极，形成为贯通所述半导体芯片区域和所述切割区域。

8.一种半导体封装，包括：

第一半导体芯片，具有形成在其中的第一贯通电极；以及

一个或多个第二半导体芯片，堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有形成在其中的对应于所述第一贯通电极的第二贯通电极，

其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中每一个都包括半导体芯片区域以及至少一个切割区域，所述半导体芯片区域形成有电路层，所述至少一个切割区域平行于所述半导体芯片区域的至少一侧延伸并且具有彼此交替形成的多个划线部分和多个有源部分，并且

其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中每一个的尺寸通过沿着所述划线部分中某一个切割而被选择性调整。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，还包括：

附加元件，形成在设置为与所述电路层分隔的所述有源部分中。

10.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述第一半导体芯片的尺寸大于堆叠的所述第二半导体芯片中每一个的尺寸。

11.根据权利要求8所述的半导体封装，其中堆叠的所述第二半导体芯片中至少一个的尺寸与其余的半导体芯片的尺寸不同。

12.根据权利要求8所述的半导体封装，其中堆叠的所述第二半导体芯片中最上面的第二半导体芯片的尺寸对应于所述第一半导体芯片的尺寸。

13.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述第一贯通电极形成在所述第一半导体芯片的半导体芯片区域和切割区域中，并且所述第二贯通电极形成在所述第二半导体芯片的半导体芯片区域和切割区域中。

14.根据权利要求8所述的半导体封装，还包括：

基板，支撑所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。

15.根据权利要求14所述的半导体封装，还包括：

第三半导体芯片，设置在所述基板和所述第一半导体芯片之间，并且具有形成在其中对应于所述第一贯通电极的第三贯通电极。

16.一种半导体封装，包括：

第一半导体芯片，安装在基板上并且具有形成在其中的第一贯通电极；以及

一个或多个第二半导体芯片，堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有形成在其中的对应于所述第一贯通电极的第二贯通电极，

其中所述第二半导体芯片中每一个都包括半导体芯片区域以及至少一个切割区域，所述半导体芯片区域形成有电路层，所述至少一个切割区域平行于所述半导体芯片区域的至少一侧延伸并且具有彼此交替形成的多个划线部分和多个有源部分，并且

其中所述第二半导体芯片中每一个都沿着所述划线部分中某一个切割，并且具有对应于所述第一半导体芯片的尺寸的尺寸。

17.根据权利要求16所述的半导体封装，还包括：

散热构件，形成为覆盖所述基板以及所述第一半导体芯片和堆叠的所述第二半导体芯片。