[发明专利]尺寸可变型半导体芯片以及采用该芯片的半导体封装

说明书

技术领域

本发明涉及尺寸可变半导体芯片、包括该尺寸可变半导体芯片的晶片以及采用该尺寸可变半导体芯片的半导体封装。

背景技术

近来，在电子工业中，日益需要小型化和低功耗以及高性能和多功能。这些需要强有力地推动了在半导体封装工业中垂直堆叠不同种类芯片的技术的发展。

在通过这样的垂直堆叠技术制造的半导体封装中，在各半导体芯片中可能产生大量的热。这可能导致封装中一个或多个芯片失效的问题，除非该封装能够被冷却。

传统的垂直堆叠型半导体封装例如可以包括基板、安装到基板上的非存储器芯片、堆叠在非存储器芯片上的至少一个存储器芯片以及模制在非存储器芯片和存储器芯片上的密封材料。

然而，在这样的垂直堆叠型半导体封装中，因为非存储器芯片和存储器芯片具有不同的尺寸，所以可能无法定义释放各芯片中产生的热量的适当通道。即使在该通道可以定义的情况下，由于非存储器芯片和存储器芯片之间的尺寸差，也可能发生热量集中的热点。

发明内容

本发明的实施例涉及尺寸可变半导体芯片以及包括该尺寸可变半导体芯片的晶片。

再者，本发明的实施例涉及采用尺寸可变半导体芯片的半导体封装，其可以允许不同种类的半导体芯片的尺寸被选择性变化。

在本发明的一个实施例中，晶片包括：多个半导体芯片区域，形成有电路层；切割区域，平行于半导体芯片区域的至少一侧延伸，并且具有彼此交替形成的多个划线部分和多个有源部分。

该晶片还可以包括形成在有源部分中的附加元件，该有源部分设置为与电路层分开。

该晶片还可以包括熔丝电路，其插设在电路层和附加元件之间，并且通过激光切割或者电气切割而被选择性切割。

附加元件可以包括无源元件、有源元件和测试电路中的至少一个。

切割区域可以平行于半导体芯片区域的两侧延伸，并且多个划线部分可以形成为在两个方向上延伸的切割区域的每一个中。

切割区域可以平行于半导体芯片区域的四侧延伸，并且多个划线部分可以形成在四个方向上延伸的切割区域的每一个中。

在本发明的另一个实施例中，尺寸可变半导体芯片包括：半导体芯片区域，形成有电路层；至少一个切割区域，平行于半导体芯片区域的至少一侧延伸，并且具有彼此交替形成的多个划线部分和多个有源部分，其中尺寸可变半导体芯片的尺寸通过沿着划线部分中某一个切割而被选择性调整。

该尺寸可变半导体芯片还可以包括形成在有源部分中的附加元件，该有源部分设置为与电路层分开。

该尺寸可变半导体芯片还可以包括熔丝电路，其插设在电路层和附加元件之间，并且通过激光切割或电气切割而被选择性切割。

该附加元件可以包括无源元件、有源元件和测试电路中至少一个。

切割区域可以平行于半导体芯片区域的两侧延伸，并且多个划线部分可以形成在两个方向上延伸的切割区域的每一个中。

切割区域可以平行于半导体芯片区域的四侧延伸，并且多个划线部分可以形成在四个方向上延伸的切割区域的每一个中。

该尺寸可变半导体芯片还可以包括贯通电极，该贯通电极形成为贯通半导体芯片区域和切割区域。

在本发明的另一个实施例中，半导体封装包括：第一半导体芯片，具有形成在其中的第一贯通电极；一个或多个第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且具有形成在其中的对应于第一贯通电极的第二贯通电极，其中第一和第二半导体芯片的每一个都包括形成有电路层的半导体芯片区域以及至少一个切割区域，该至少一个切割区域平行于半导体芯片区域的至少一侧延伸并且具有彼此交替形成的多个划线部分和多个有源部分，其中第一和第二半导体芯片每一个的尺寸通过沿着划线部分中某一个切割而被选择性调整。

该半导体封装还可以包括形成在有源部分中的附加元件，该有源部分设置为与电路层分开。

该第一半导体芯片的尺寸可以大于堆叠的第二半导体芯片的尺寸。

堆叠的第二半导体芯片可以具有彼此不同的尺寸。

堆叠的第二半导体芯片中最上面的第二半导体芯片的尺寸可以对应于第一半导体芯片的尺寸。

第一贯通电极可以形成在第一半导体芯片的半导体芯片区域和切割区域中，并且第二贯通电极可以形成在第二半导体芯片的半导体芯片区域和切割区域中。

半导体封装还可以包括支撑第一和第二半导体芯片的基板。

半导体封装还可以包括第三半导体芯片，其设置在基板和第一半导体芯片之间，并且具有形成在其中对应于第一贯通电极的第三贯通电极。