[发明专利]用于测试氧化层击穿可靠性的结构及方法无效
| 申请号： | 201110044418.9 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102176443A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 测试 氧化 击穿 可靠性 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于测试氧化层击穿可靠性的结构，其特征在于，包括具有不同面积的多个氧化层电容，多个氧化层电容共享同一个栅极，每个氧化层电容包括一个衬底，且各个氧化层电容的衬底相互分离。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构为四端结构，包括四个压焊点。
3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述氧化层电容为三个。
4.一种利用权利要求1或2或3的结构测试氧化层击穿可靠性的方法，其特征在于，在所述栅极施加一固定电压，在各个氧化层电容的衬底分别接一个电流表，测试流经各衬底的电流，一旦有衬底的电流发生跳变，记录时间，即为该衬底对应的氧化层电容的氧化层击穿时间。
5.一种利用权利要求1或2或3的结构确定威布尔分布的形状因子的方法。
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