[发明专利]发光器件和发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

导电支撑构件；

第二反射层，所述第二反射层在所述导电支撑构件上；

欧姆接触层，所述欧姆接触层被布置在所述第二反射层上并且具有粗糙的底表面；以及

发光结构，所述发光结构包括被布置在所述欧姆接触层上的第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层，

其中，所述欧姆接触层的底表面具有其RMS值处于大约1nm至大约5nm的范围中的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内，并且所述第二反射层包括铝(Al)。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于大约400nm至大约650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有大约75％或者更高的反射率。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内，并且所述第二反射层包括银(Ag)。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于大约500nm至大约650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有大约80％或者更高的反射率。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围内，并且所述第二反射层包括铝(Al)。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于大约400nm至大约650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有大约75％或者更高的反射率。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围内，并且所述第二反射层包括银(Ag)。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于大约530nm至大约650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有大约80％或者更高的反射率。

10.根据权利要求2至5中的任何一项所述的发光器件，其中所述欧姆接触层具有大约80nm至大约120nm的厚度。

11.根据权利要求6至9中的任何一项所述的发光器件，其中所述欧姆接触层具有大约180nm至大约220nm的厚度。

12.一种发光器件封装，包括：

主体；

在所述主体上的第一和第二电极层；以及

发光器件，所述发光器件电气地连接到所述第一和第二电极层；

其中所述发光器件包括：导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的第二反射层；欧姆接触层，所述欧姆接触层被布置在所述第二反射层上并且具有粗糙的底表面；以及发光结构，所述发光结构包括被布置在所述欧姆接触层上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，

其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内，并且所述第二反射层包括铝(Al)，并且

其中所述发光结构发射具有处于大约400nm至大约650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有大约75％或者更高的反射率。

13.一种照明系统，包括：

模块基板；

安装在所述模块基板上的发光器件，

其中所述发光器件包括：导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的第二反射层；欧姆接触层，所述欧姆接触层被布置在所述第二反射层上并且具有粗糙的底表面；以及发光结构，所述发光结构包括被布置在所述欧姆接触层上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，

其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内，并且所述第二反射层包括铝(Al)，并且

其中所述发光结构发射具有处于大约400nm至大约650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有大约75％或者更高的反射率。