[发明专利]发光器件和发光器件封装有效

专利信息
申请号: 201110045154.9 申请日: 2011-02-22
公开(公告)号: CN102194947A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 崔铉旼;金鲜京;崔云庆 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/46
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 夏凯;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 封装
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求(2010年3月17日提交的)韩国专利申请No.10-2010-0023736的优先权,通过引用将其整体合并在此。

技术领域

本公开涉及发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯的现有技术的光源相比,LED在诸如低功率消耗、半永久性寿命周期、快速响应时间、安全、以及环保特性的许多方面具有优势。已经进行许多研究以将现有的光源替换为LED,并且LED被越来越多地用作诸如室内和室外灯的照明装置、液晶显示器、电子标识牌以及街灯的光源。

发明内容

实施例提供具有提高的发光效率的发光器件。

在一个实施例中,发光器件包括:透明衬底;发光结构,该发光结构包括被布置在衬底的顶表面上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;以及在衬底的底表面上的第一反射层,其中衬底的底表面具有均方根(RMS)值为大约1nm至大约15nm的表面粗糙度。

在另一实施例中,发光器件包括:导电支撑构件;在导电支撑构件上的第二反射层;欧姆接触层,该欧姆接触层被布置在第二反射层上并且具有粗糙的底表面;以及发光结构,该发光结构包括被布置在欧姆接触层上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层,其中所述欧姆接触层的底表面具有RMS值处于大约1nm至大约5nm的范围中的表面粗糙度。

在又一实施例中,发光器件封装包括:主体部分;在主体部分上的第一和第二电极层;以及发光器件,该发光器件被电气地连接到第一和第二电极层,其中该发光器件包括上述的发光器件。

因此,实施例提供具有提高的发光效率的发光器件。

在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求,其它的特征将会是显而易见的。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图。

图2是图1的部分A的放大图。

图3是示出试验的结果的图,其中该试验被执行以测量当从图1的发光器件的发光结构输出的光的波长处于大约380nm至大约520nm的范围内时关于透明衬底的表面的粗糙的反射效率。

图4是示出试验的结果的图,其中该试验被执行以测量当从图1的发光器件的发光结构发射的光的波长处于大约520nm至大约700nm的范围内时关于透明衬底的表面粗糙度的反射效率。

图5是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。

图6是图5的部分B的放大图。

图7是示出试验的结果的图,其中执行该试验以测量当发光器件的欧姆接触层的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内时关于从图5的发光器件的发光结构发射的光的波长范围的反射效率。

图8是示出试验的结果的图,其中执行该试验以测量当发光器件的欧姆接触层的表面粗糙度的RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围内时关于从图5的发光器件的发光结构输出的光的波长范围的反射效率。

图9是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。

图10是示出根据实施例的使用发光器件的背光单元的视图。

图11是根据实施例的使用发光器件的照明系统的视图。

具体实施方式

在实施例的描述中,将会理解的是,当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时,它能够直接在另一层或者衬底上,或者也可以存在中间层。此外,将会理解的是,当层被称为在另一层“下”时,它能够直接在另一层下,并且也可以存在一个或者多个中间层。此外,将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。

在附图中,为了便于描述和清楚起见,每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外,每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。

在下文中,参考附图,将会描述根据示例性实施例的发光器件和发光器件封装。

<第一实施例>

图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图,并且图2是图1的部分A的放大图。

参考图1和图2,发光器件100可以包括第一反射层105;透明衬底110,该透明衬底110被布置在第一反射层105上;发光结构145,该发光结构145被布置在透明衬底110上以产生光;以及第一和第二电极131和161,该第一和第二电极131和161被构造为将电力161提供到发光结构145。

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