[发明专利]强化基板及其制造方法有效
申请号: | 201110045792.0 | 申请日: | 2011-02-25 |
公开(公告)号: | CN102176428A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 林欣龙;刘昱辰;来汉中;陈茂松;曾至孝;陈彦良 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B24B7/24;H01L23/14;H01L23/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 强化 及其 制造 方法 | ||
1.一种强化基板的制造方法,包括:
提供一母板,该母板具有切割道区;
在该母板的该切割道区中形成一阻挡层;
利用该阻挡层作为一强化阻障层以对该母板进行一强化加工步骤,而形成一强化母板;
对该强化母板的该切割道区进行一切割步骤,以形成多个强化基板;
对该些强化基板的边缘进行一边缘研磨步骤。
2.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中在进行该切割步骤前,还包含一移除该阻挡层的步骤。
3.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中该母板具有上表面以及下表面,且该阻挡层是形成在该上表面或是该下表面。
4.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中该母板具有上表面以及下表面,且该阻挡层包括第一阻挡层以及第二阻挡层,其分别形成在该上表面与该下表面。
5.如权利要求4所述的强化基板的制造方法,其中该第一阻挡层与该第二阻挡层的材质可为相同或不同。
6.如权利要求4所述的强化基板的制造方法,其中形成该第一阻挡层与该第二阻挡层的方法包括:
在该母板上的该上表面的该切割道区形成该第一阻挡层;
在该母板上的该下表面形成一感光有机聚合物材料层;以及
利用该第一阻挡层作为一曝光掩模,对该感光有机聚合物材料层进行一图案化程序,以形成该第二阻挡层。
7.如权利要求4所述的强化基板的制造方法,其中形成该第一阻挡层与该第二阻挡层的方法包括:
在该母板上的该上表面的该切割道区形成该第一阻挡层;
在该母板上的该下表面上形成一介电材料层;
在该介电材料层上形成一感光有机聚合物材料层;
利用该第一阻挡层作为一曝光掩模,对该感光有机聚合物材料层进行一图案化程序;以及
利用被图案化的该感光有机聚合物材料层做为一蚀刻掩模图案化该介电材料层,以形成该第二阻挡层。
8.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中该阻挡层的材质包括金属材料、介电材料或是有机聚合物材料。
9.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中形成该阻挡层的方法包括进行一印刷程序、一贴附程序、一曝光程序、一蚀刻程序或是其组合。
10.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中该强化加工步骤包括一化学强化处理。
11.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中该基板的厚度为0.3~6.0厘米,且该基板被强化的深度为10~100微米。
12.如权利要求1所述的强化基板的制造方法,其中该切割道区的宽度为50~400微米。
13.一种强化基板,包括:
基板,其具有上表面、下表面以及多个侧表面,且该基板的边缘具有一切割道区;以及
其中,该基板中具有第一强化区、第二强化区以及未强化区,该第一强化区由该上表面往该基板的内部延伸,该第二强化区由该下表面往该基板的内部延伸,且该未强化区位于该切割道区及该些侧表面。
14.如权利要求13所述的强化基板,还包含一阻挡层,位于该切割道区。
15.如权利要求14所述的强化基板,其中该阻挡层位于该基板的该上表面或是该下表面。
16.如权利要求14所述的强化基板,其中该阻挡层包括第一阻挡层以及第二阻挡层,其分别位于该基板的该上表面以及该下表面。
17.如权利要求16所述的强化基板,其中该第一阻挡层与该第二阻挡层的材质可为相同或不同。
18.如权利要求14所述的强化基板,其中该阻挡层的材质包括金属材料、介电材料或是有机聚合物材料。
19.如权利要求13所述的强化基板,其中该基板的厚度为0.3~6.0厘米,且该第一强化区以及该第二强化区的深度各自为10~100微米。
20.如权利要求13所述的强化基板,其中该切割道区的宽度为25~200微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造