[发明专利]薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材无效
申请号: | 201110045954.0 | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102191458A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 黛良享;有泉久美子;黑光祥郎 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;B32B18/00;H01L31/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 形成 用气相 沉积 具备 压片 | ||
1.一种气相沉积材,为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材,其特征在于,
所述第一氧化物粉末为TiO2粉末,所述第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98%以上,
所述第二氧化物粉末为选自ZnO、MgO和CaO中的一种粉末或两种以上的混合粉末,所述第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98%以上,
所述气相沉积材由含有所述第一氧化物粒子和所述第二氧化物粒子的颗粒构成,
所述气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5~85∶95~15,且所述颗粒的碱度为0.1以上。
2.根据权利要求1所述的气相沉积材,所述第一氧化物粒子的平均粒径为0.1~10μm,且所述第二氧化物粒子的平均粒径为0.1~10μm。
3.一种膜的制造方法,其特征在于,通过将权利要求1或2所述的气相沉积材用作靶材的真空成膜法,在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金属元素A和所述第二氧化物所含的金属元素B的氧化物薄膜。
4.一种薄膜片材,通过将权利要求1或2所述的气相沉积材用作靶材的真空成膜法,在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金属元素A和所述第二氧化物所含的金属元素B的氧化物薄膜,
所述薄膜中的所述金属元素A与所述金属元素B的摩尔比为5~85∶95~15。
5.根据权利要求4所述的薄膜片材,所述真空成膜法为电子束蒸镀法、离子镀法、反应性等离子体沉积法、电阻加热法或感应加热法中的任意一种。
6.根据权利要求4或5所述的薄膜片材,在温度20℃、相对湿度50%RH的条件下放置1小时时的水蒸气透过率S为0.3g/m2·天以下。
7.根据权利要求6所述的薄膜片材,在温度20℃、相对湿度50%RH的条件下放置1小时后,在温度85℃、相对湿度90%RH的条件下进一步放置100小时时的的水蒸气透过率设为T时,所述水蒸气透过率T相对于所述水蒸气透过率S的变化率T/S×100为200%以下。
8.一种层压片材,在权利要求4~7中的任意一项所述的薄膜片材的薄膜形成侧通过粘接层层压第二基材薄膜而成。
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