[发明专利]形成用于倒装半导体管芯的焊盘布局的半导体器件和方法

权利要求书

1. 一种制造半导体器件的方法，包括： 

提供半导体管芯，该半导体管芯具有信号焊盘主要位于半导体管芯的周边区域中且功率焊盘和接地焊盘主要位于半导体管芯的自信号焊盘的内侧区域中的管芯焊盘布局； 

在信号焊盘、功率焊盘和接地焊盘上形成多个凸块； 

提供基底； 

在所述基底上形成具有互连点的多个导电迹线，所述凸块比所述互连点宽； 

将所述凸块结合到所述互连点，使得凸块覆盖互连点的顶面和侧面；以及 

在半导体管芯与基底之间的凸块周围沉积密封剂。

2. 权利要求1的方法，其中，所述凸块包括可熔部分和不可熔部分。

3. 权利要求1的方法，还包括将信号焊盘布置成大体上与半导体管芯边缘平行的周边行或周边阵列。

4. 权利要求1的方法，还包括以交错布置或正交布置将信号焊盘布置成相邻行。

5. 根据权利要求1的方法，其中，少于10%的功率焊盘和接地焊盘位于周边区域内且少于10%的信号焊盘位于内侧区域内。

6. 权利要求1的方法，还包括在远离互连点的基底区域上形成掩蔽层。

7. 一种制造半导体器件的方法，包括： 

提供半导体管芯； 

提供基底； 

在所述基底上形成具有以信号点位于基底的周边附近且功率点和接地点位于自信号点的内侧的布局布置的互连点的多个导电迹线；以及 

在半导体管芯与基底之间形成互连结构，使得互连结构覆盖互连点的顶面和侧面。

8. 权利要求7的方法，还包括在半导体管芯与基底之间沉积密封剂。

9. 权利要求7的方法，其中，所述互连结构包括可熔部分和不可熔部分。

10. 权利要求7的方法，还包括将信号点布置成大体上与基底边缘平行的周边行或周边阵列。

11. 权利要求7的方法，还包括以交错布置或正交布置将信号点布置成相邻行。

12. 权利要求7的方法，还包括在基底的中心附近将功率和接地点布置成阵列。

13. 权利要求7的方法，其中，所述半导体管芯的中心区域不具有焊盘。

14. 一种制造半导体器件的方法，包括： 

提供半导体管芯； 

提供基底； 

在所述基底上形成具有以信号点主要位于基底的周边区域中且功率点和接地点主要位于基底的自信号焊盘的内侧区域中的布局布置的互连点的多个导电迹线； 

将半导体管芯结合到互连点；以及 

在半导体管芯与基底之间沉积密封剂。

15. 权利要求14的方法，还包括在半导体管芯上形成互连结构，所述互连结构包括可熔部分和不可熔部分。

16. 权利要求14的方法，其中，少于10%的功率点和接地点位于周边区域内。

17. 权利要求14的方法，其中，少于10%的信号点位于内侧区域内。

18. 权利要求14的方法，还包括将信号点布置成大体上与基底边缘平行的周边行或周边阵列。

19. 权利要求14的方法，还包括在基底的中心附近将功率点和接地点布置成阵列。

20. 权利要求14的方法，还包括以交错布置或正交布置将信号点布置成相邻行。

21. 一种半导体器件，包括： 

半导体管芯，该半导体管芯具有信号焊盘主要位于半导体管芯的周边区域中且功率焊盘和接地焊盘主要位于半导体管芯的自信号焊盘的内侧区域中的管芯焊盘布局； 

基底； 

所述基底上形成的具有互连点的多个导电迹线，其中，所述半导体管芯被结合到互连点；以及 

沉积在所述半导体管芯与基底之间的密封剂。

22. 权利要求21的半导体器件，还包括在半导体管芯上形成的互连结构，所述互连结构包括可熔部分和不可熔部分。

23. 权利要求21的半导体器件，其中，少于10%的功率焊盘和接地焊盘位于周边区域内。