[发明专利]蚀刻处理方法

权利要求书

1.一种在基板处理装置中对载置在载置台上的基板实施蚀刻处理的蚀刻处理方法，其中，所述基板处理装置具有在内部产生等离子体的处理室；配置在该处理室内部的所述载置台；和与该载置台相对配置在所述处理室内部的电极，对所述处理室内施加频率较高的第1高频电力，对所述载置台施加频率低于所述第1高频电力的第2高频电力，对所述电极施加直流电力，

所述基板具有蚀刻对象膜和在该蚀刻对象膜形成的掩膜，该蚀刻处理方法的特征在于，具有：

对在所述基板上的掩膜形成的图案的形状进行改良的图案形状改良步骤；和

使用所述图案的形状被改良后的掩膜将所述蚀刻对象膜用等离子体进行蚀刻的对象膜蚀刻步骤，

在所述图案形状改良步骤中，使用等离子体对所述掩膜实施蚀刻，

在所述对象膜蚀刻步骤中，对所述电极施加所述直流电力，并且对所述载置台至少以脉冲波状施加所述第2高频电力而形成没有对所述载置台施加所述第2高频电力的状态。

2.如权利要求1所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，也以脉冲波状施加所述第1高频电力，形成没有对所述处理室内部施加所述第1高频电力的状态。

3.如权利要求2所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，同步并且以脉冲波状施加所述第1高频电力和所述第2高频电力。

4.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，以比在所述基板产生的偏置电压的电位低的电位对所述电极施加所述直流电力。

5.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，对所述载置台以频率为1KHz～50KHz中的任一频率的脉冲波状施加所述第2高频电力。

6.如权利要求5所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

所述频率为10KHz～50KHz中的任一个频率。

7.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，被以脉冲波状施加的所述第2高频电力的占空比为10％～90％中的任一个。

8.如权利要求7所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

所述占空比为50％～90％中的任一个。

9.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，所述第2高频电力未被施加在所述载置台的状态至少持续5微秒。

10.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，在所述蚀刻对象膜形成的图案的深宽比为30以上。

11.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

所述掩膜为有机膜，

所述图案形状改良步骤具有使电子接触通过等离子体蚀刻后的所述掩膜而使所述掩膜硬化的掩膜硬化步骤。

12.如权利要求11所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述掩膜硬化步骤中，对所述电极施加所述直流电力。

13.如权利要求12所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述掩膜硬化步骤中，施加的所述直流电力的电压为-900V以下。

14.如权利要求11中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述掩膜硬化步骤中，从沉积性气体产生等离子体。

15.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

所述掩膜为无机膜。

16.如权利要求15所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

所述无机膜至少包括多晶硅膜。

17.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述图案形状改良步骤中，通过改良所述图案的形状，使所述掩膜的孔洞的形状，在从上方看时接近正圆。

18.如权利要求1～3中任何一项所述的蚀刻处理方法，其特征在于：

在所述对象膜蚀刻步骤中，从至少包括氦气的混合气体产生等离子体。