[发明专利]电压开关电路和使用其的非易失性存储器件有效

专利信息
申请号: 201110049297.7 申请日: 2011-03-01
公开(公告)号: CN102314946B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 李在浩;朴镇寿 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 侯广
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电压 开关电路 使用 非易失性存储器
【权利要求书】:

1.一种电压开关电路,包括:

正电压提供电路,被配置为响应于第一使能信号向控制节点提供正电压;

负电压提供电路,被配置为响应于负电压使能信号向该控制节点提供负电压;

控制信号产生电路,被配置为响应于该第一使能信号产生该负电压使能信号;以及

开关电路,被配置为响应于该控制节点的电势将具有正电势或负电势的输入电压传送到输出节点,

其中该开关电路包括三态阱晶体管,用于响应于该控制节点的电势将该输入电压传送到该输出节点,

该正电压提供电路包括串联耦接在正电压提供端子与该控制节点之间的耗尽型晶体管和正电压晶体管,而且

该耗尽型晶体管被配置为响应于该控制节点的电势而被驱动,并且该正电压晶体管被配置为响应于该第一使能信号而被驱动。

2.如权利要求1所述的电压开关电路,其中该正电压提供电路进一步包括三态阱晶体管,用于将该第一使能信号的反相信号传送到该控制节点。

3.如权利要求1所述的电压开关电路,其中该负电压提供电路包括三态阱晶体管,用于响应于该负电压使能信号将负电压提供到该控制节点。

4.如权利要求1所述的电压开关电路,其中当具有负电势的输入电压将要被传送到该输出节点时,该正电压提供电路进一步被配置为被禁止,该负电压提供电路进一步被配置为被使能,并且该控制信号产生电路进一步被配置为产生具有负电压的负电压使能信号。

5.如权利要求1所述的电压开关电路,其中当具有正电势的输入电压将要被传送到该输出节点时,该正电压提供电路进一步被配置为被使能,该负电压提供电路进一步被配置为被禁止,并且该控制信号产生电路进一步被配置为产生具有正电压的负电压使能信号。

6.如权利要求1所述的电压开关电路,其中:

当该第一使能信号具有逻辑低电平时,该控制信号产生电路进一步被配置为输出具有负电压的负电压使能信号,而且

当该第一使能信号具有逻辑高电平时,该控制信号产生电路进一步被配置为输出具有正电压的负电压使能信号。

7.如权利要求2所述的电压开关电路,其中:

当该第一使能信号具有逻辑低电平时,该控制信号产生电路进一步被配置为输出具有正电压的控制信号以导通正电压提供电路中的该三态阱晶体管,

当该第一使能信号具有逻辑高电平时,该控制信号产生电路进一步被配置为输出具有负电压的控制信号以关断正电压提供电路中的该三态阱晶体管。

8.如权利要求2所述的电压开关电路,进一步包括电压选择电路,其被配置为选择地电压与负电压中的一个作为将要从该电压选择电路输出的选择的电压,其中该负电压提供电路进一步被配置为在该电压选择电路选择地电压时将地电压提供到该控制节点。

9.如权利要求8所述的电压开关电路,其中该电压选择电路进一步被配置为基于该输入电压是正电势还是负电势来做出该选择。

10.一种非易失性存储器件,包括:

存储单元块;

块译码器电路,被配置为响应于块使能信号输出具有正电压的逻辑高或具有负电压的逻辑低的块选择信号并且选择该存储单元块;以及

工作电压传输单元,被配置为响应于该块选择信号将工作电压传送到该存储单元块,

其中该工作电压传输单元包括多个三态阱晶体管,用于响应于该块选择信号,在将要执行正常操作时将具有正电势的工作电压提供到该存储单元块的多条字线,并且在将要执行负电压提供操作时将具有负电势的工作电压提供到所述多条字线,

其中该块译码器电路包括:

块地址译码器,被配置为在输入的地址信号与该存储单元块的地址匹配时响应于该块使能信号输出第一使能信号;

正电压提供电路,被配置为响应于该第一使能信号向控制节点提供正电压;

负电压提供电路,被配置为响应于负电压使能信号向该控制节点提供负电压;以及

控制信号产生电路,被配置为响应于该第一使能信号产生该负电压使能信号,

其中:

该正电压提供电路包括串联耦接在正电压提供端子与该控制节点之间的耗尽型晶体管和正电压晶体管,而且

该耗尽型晶体管被配置为响应于该控制节点的电势而被驱动,并且该正电压晶体管被配置为响应于该第一使能信号而被驱动。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110049297.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top