[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

包括：

元件隔离结构，其中在半导体衬底上的元件隔离区域中形成的沟槽被绝缘材料填满，

第一导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第一有源区中，

第二导电类型元件，形成在由所述元件隔离结构隔开的第二有源区中；

对所述元件隔离结构而言，在所述元件隔离区域的第一元件隔离区域填充有对所述第二有源区施加压应力的第一绝缘材料，所述第一元件隔离区域为与所述第二有源区的相对的一对端面相邻的区域，并且在所述元件隔离区域的除了所述第一元件隔离区域之外的区域即第二元件隔离区域填充有对所述第一和第二有源区施加张应力的第二绝缘材料；

所述第一绝缘材料为不同于所述第二绝缘材料的绝缘材料，所述第一绝缘材料由填充所述第一元件隔离区域的下层部分的下层绝缘材料和填充所述第一元件隔离区域的上层部分的上层绝缘材料构成，所述下层绝缘材料和所述上层绝缘材料为施加相互不同的所述压应力的绝缘材料。

2.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型元件和所述第二导电类型元件交替排列，并且所述第二导电类型元件和所述第一导电类型元件之间的区域为所述第一元件隔离区域。

3.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，

由多个所述第一导电类型元件排列构成第一导电类型元件组；

每个所述第一导电类型元件和所述第二导电类型元件组形成在所述半导体衬底上相互独立的区域中；

并且形成所述第一元件隔离区域以使每个所述第二有源区夹在其中。

4.根据权利要求3的半导体器件，其特征在于，在各所述第二导电类型元件的两端分别形成虚设有源区。

5.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，

形成有：

第一导电类型元件组，由多个所述第一导电类型元件排列构成，

第二导电类型元件组，由多个所述第二导电类型元件排列构成；

所述第一导电类型元件组以及所述第二导电类型元件组形成在所述半导体衬底上相互独立的区域中；

并且形成所述第一元件隔离区域以使所述第二导电类型元件组的每个所述第二有源区夹在其中。

6.根据权利要求5的半导体器件，其特征在于，在所述第二导电类型元件组的两端分别形成虚设有源区。

7.一种半导体器件的制造方法，其中第一有源区和第二有源区被半导体衬底上的元件隔离区域中形成的元件隔离结构隔开，并且第一导电类型元件和第二导电类型元件分别形成在所述第一有源区和所述第二有源区中，其特征在于，

所述元件隔离区域包括：

第一元件隔离区域，其包括与所述第二有源区的相对的一对端面相邻的区域，

除了所述第一元件隔离区域之外的区域即第二元件隔离区域；

所述方法包括如下工序：

在所述半导体衬底上的所述第二元件隔离区域中形成第一沟槽，并且用对所述第一和第二有源区施加张应力的第一绝缘材料填满所述第一沟槽的工序，以及

在所述半导体衬底上的所述第一元件隔离区域中形成第二沟槽，并且用对所述第二有源区施加压应力的第二绝缘材料填满所述第二沟槽的工序；

所述第一绝缘材料为不同于所述第二绝缘材料的绝缘材料，所述第一绝缘材料由填充所述第一元件隔离区域的下层部分的下层绝缘材料和填充所述第一元件隔离区域的上层部分的上层绝缘材料构成，所述下层绝缘材料和所述上层绝缘材料为施加相互不同的所述压应力的绝缘材料。

8.一种半导体器件的制造方法，其中第一有源区和第二有源区被半导体衬底上的元件隔离区域中形成的元件隔离结构隔开，并且第一导电类型元件和第二导电类型元件分别形成在所述第一有源区和所述第二有源区中，其特征在于，

所述元件隔离区域包括：

第一元件隔离区域，其包括与所述第二有源区的相对的一对端面相邻的区域，

除了所述第一元件隔离区域之外的区域即第二元件隔离区域；

所述方法包括如下工序：

在所述半导体衬底上的所述第二元件隔离区域中形成第一沟槽，并且用对所述第一和第二有源区施加张应力的第一绝缘材料填满所述第一沟槽的工序，以及

在填满所述第一沟槽以施加张应力的所述第一绝缘材料中相应于所述第一元件隔离区域的部分中形成第二沟槽，并且用对所述第二有源区施加压应力的第二绝缘材料填满所述第二沟槽的工序；

所述第一绝缘材料为不同于所述第二绝缘材料的绝缘材料，所述第一绝缘材料由填充所述第一元件隔离区域的下层部分的下层绝缘材料和填充所述第一元件隔离区域的上层部分的上层绝缘材料构成，所述下层绝缘材料和所述上层绝缘材料为施加相互不同的所述压应力的绝缘材料。