[发明专利]沟槽隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110049457.8 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102651333A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 倪志荣;吕珈宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括步骤：
于一基底上依序形成一图案化垫层与一图案化掩膜层，其中该基底包括一存储单元区与一外围区；
以该图案化掩膜层为掩膜，移除部分该基底，以形成多个沟槽；
于该基底上形成一第一衬层，以覆盖该图案化掩膜层、该图案化垫层以及所述多个沟槽的表面；
移除覆盖该外围区的该图案化掩膜层、该图案化垫层以及所述多个沟槽的表面的该第一衬层；
对该图案化掩膜层进行一内缩工艺，使得该外围区的该图案化掩膜层的内缩量大于该存储单元区的该图案化掩膜层的内缩量；以及
于所述多个沟槽中形成绝缘层，以形成多个浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，该第一衬层包括一氧化层。
3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，该第一衬层的材料包括高温氧化物或以四乙氧基硅烷形成的氧化物。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，该浅沟槽隔离结构的制造方法还包括在氮气中以及高温下对该第一衬层进行一致密化工艺的步骤。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，移除覆盖该外围区的该图案化掩膜层、该图案化垫层以及所述多个沟槽的表面的该第一衬层的步骤包括：
于该存储单元区上形成一光阻层，以覆盖该存储单元区的该第一衬层；以及
移除该外围区的该第一衬层。
6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，移除该第一衬层的方法包括湿式蚀刻工艺。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，该内缩工艺包括湿式蚀刻工艺。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在形成该第一衬层之前，于该基底上形成一第二衬层，以覆盖该图案化掩膜层、该图案化垫层以及所述多个沟槽的表面。
9.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，该第二衬层的材料包括氮化硅。
10.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，还包括在氮气或氧气中以及高温下对该第一衬层进行一致密化工艺的步骤。
11.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，在进行该内缩工艺时，该存储单元区的该图案化掩膜层上依序覆盖有该第二衬层与该第一衬层，以及该外围区的该图案化掩膜层上覆盖有该第二衬层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
