[发明专利]制造氮化物半导体晶体层的方法

权利要求书

1.一种制造氮化物半导体晶体层的方法，包括：

在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层，所述硅晶体层被设置在基体上，

在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度，

所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。

2.根据权利要求1的方法，其中在所述硅晶体层中产生由位错的引入造成的塑性形变。

3.根据权利要求2的方法，其中通过将III族元素扩散到所述硅晶体层中而促进与所述位错的引入相伴的所述塑性形变。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第二厚度为50纳米或更小。

5.根据权利要求1的方法，其中所述形成所述氮化物半导体晶体层包括：

在第一温度下在所述硅晶体层上形成所述氮化物半导体晶体层的第一部分，以及

在第二温度下在所述第一部分上形成所述氮化物半导体晶体层的第二部分，所述第二温度高于所述第一温度。

6.根据权利要求5的方法，其中所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

7.根据权利要求5的方法，其中在形成所述第一部分之前在所述硅晶体层上层叠包含III族元素的层。

8.根据权利要求1的方法，其中所述基体是硅衬底或硅石玻璃衬底，在所述硅衬底的表面上形成有氧化硅膜。

9.根据权利要求1的方法，其中

在与所述硅晶体层的层面平行的面中将所述硅晶体层分割为具有不小于0.5mm且不大于10mm的特征长度的岛状形状，并且

所述形成所述氮化物半导体晶体层包括在经分割的硅晶体层上形成所述氮化物半导体晶体层。

10.根据权利要求1的方法，其中所述氮化物半导体晶体层的在所述基体侧的第一区域中的硅的浓度高于所述氮化物半导体晶体层的在第二区域中的硅的浓度，所述第二区域比所述第一区域更远离所述基体。

11.根据权利要求1的方法，其中所述硅晶体层的晶面的取向为(111)面。

12.根据权利要求1的方法，其中所述形成所述氮化物半导体晶体层使所述硅晶体层的全部并入到所述氮化物半导体晶体层中。

13.根据权利要求12的方法，其中在所述硅晶体层中产生由位错的引入造成的塑性形变。

14.根据权利要求13的方法，其中通过将III族元素扩散到所述硅晶体层中而促进与所述位错的引入相伴的所述塑性形变。

15.根据权利要求12的方法，其中所述第二厚度为50纳米或更小。

16.一种制造氮化物半导体晶体层的方法，包括：

在晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层，所述晶体层被设置在基体上，

在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述晶体层具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度，

所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述晶体层的厚度。

17.根据权利要求16的方法，其中在所述晶体层中产生由位错的引入造成的塑性形变。

18.根据权利要求17的方法，其中通过将III族元素扩散到所述晶体层中而促进与所述位错的引入相伴的所述塑性形变。

19.根据权利要求16的方法，其中

在与所述晶体层的层面平行的面中将所述晶体层分割为具有不小于0.5mm且不大于10mm的特征长度的岛状形状，并且

所述形成所述氮化物半导体晶体层包括在经分割的晶体层上形成所述氮化物半导体晶体层。

20.根据权利要求16的方法，其中所述基体为硅衬底。