[发明专利]制造氮化物半导体晶体层的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求在2010年9月7日提交的在先日本专利申请2010-200086和在2011年2月25日提交的在先日本专利申请2011-039407的优先权；通过引用将其全部内容并入到本文中。

技术领域

本文中描述的实施例一般而言涉及制造氮化物半导体晶体层的方法。

背景技术

化合物半导体被用于各种领域，例如以高频器件为例的高速电子器件、以光发射和光接收器件为例的光学器件等等。高性能器件被实际使用。为了制造高质量器件，通常需要制备高质量衬底晶体。然而，(如果)与具有大直径的硅衬底相比，化合物半导体的晶体衬底具有小的直径。于是，使用这样的衬底制造半导体的方法倾向于具有差的批量生产率。

发明内容

一般而言，根据一个实施例，公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体(base body)上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。

例如，根据实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法为这样的制造氮化物半导体晶体层的方法，该方法包括在其中硅晶体层被层叠在基体上的结构上层叠所述氮化物半导体晶体层。所述氮化物半导体晶体层具有的厚度大于所述硅晶体层的厚度。所述制造方法通过使所述硅晶体层的一部分或全部并入到所述氮化物半导体晶体层中而减薄所述硅晶体层的厚度。

例如，根据实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法为这样的制造氮化物半导体晶体层的方法，该方法包括在被层叠在基体上的中间层上形成的晶体层上形成所述氮化物半导体晶体层。所述制造方法通过使所述晶体层的一部分或全部并入到所述氮化物半导体晶体层中而减薄所述晶体层的厚度。

附图说明

图1为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图；

图2为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的流程图；

图3A和3B为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图；

图4A和4B为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图；

图5A和5B为示例出由根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法制成的半导体器件的配置的示意性截面图；

图6A和6B为示例出根据第二实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图；

图7A到7C为示例出根据第二实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图；

图8A到8D为示例出根据第三实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图；

图9A和9B为示例出根据第三实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性图；

图10A到10C为示例出根据第三实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图；

图11为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的中途的晶体层的状态的电子显微照片；

图12为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的中途的晶体层的状态的电子显微照片；

图13为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的中途的晶体层的状态的图；

图14为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的晶体层的状态的电子显微照片；

图15为示例出参考例的制造氮化物半导体晶体层的方法的晶体层的状态的电子显微照片；

图16A到16D为示出分析结果的图像，该分析结果示例出氮化物半导体晶体层的特性；

图17A和17B为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的晶体层的分析结果的图；以及

图18A和18B为示例出参考例的晶体层的分析结果的图。

具体实施方式

下文中将参考附图描述各实施例。

第一实施例

图1为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的示意性截面图。

图2为示例出根据第一实施例的制造氮化物半导体晶体层的方法的流程图。