[发明专利]一种可铜线键接的封装体结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110050405.2 申请日: 2011-02-24
公开(公告)号: CN102651360A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 薛彦迅;鲁军;安荷·叭剌 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张静洁;徐雯琼
地址: 美国加利福尼亚940*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 一种 铜线 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种可铜线键接的封装体结构,其特征在于,包含:

引线框架(10),其设置有若干载片台,和延伸至所述封装体结构外的若干引脚,以及

若干加强筋(20),其连接相邻的所述载片台;每对相邻载片台之间连接有至少一个所述加强筋(20);

若干半导体芯片,对应设置在所述若干载片台上;

在所述芯片之间,或所述芯片与所述引脚之间,或所述芯片与所述载片台之间,通过铜线(50)键接形成电气连接。

2.如权利要求1所述可铜线键接的封装体结构,其特征在于,还包含塑封体(60),使所述若干载片台及其承载的所述若干芯片封装在所述塑封体(60)内部,并覆盖至所述加强筋(20)的顶面;所述载片台的未连接芯片的底面,以及所述若干引脚暴露在所述塑封体(60)的底面外。

3.如权利要求2所述可铜线键接的封装体结构,其特征在于,所述加强筋(20)在所述塑封体(60)封装后去除,使相邻的所述载片台相互电气隔绝。

4.如权利要求1或3所述可铜线键接的封装体结构,其特征在于,所述加强筋(20),其高度低于其连接的所述相邻载片台的高度;所述加强筋(20)底面与所述载片台底面在同一平面上。

5.如权利要求1所述可铜线键接的封装体结构,其特征在于,所述引线框架(10)上的其中一些所述引脚,由所述若干载片台引出;所述芯片的底面与所述载片台的顶面固定连接,使所述芯片设置的若干底部电极,与所述载片台电性连接,并通过该些引脚与外部元器件连接。

6.如权利要求5所述可铜线键接的封装体结构,其特征在于,所述引线框架(10)上的另一些所述引脚,与所述若干载片台分隔且无电性连接;所述芯片设置的若干顶部电极,与该些引脚通过铜线(50)键接形成电性连接,并通过该些引脚与外部元器件连接。

7.一种可铜线键接的封装体结构的制作方法,其特征在于,包含以下步骤:

步骤1、形成引线框架(10)上连接相邻载片台的若干加强筋(20);相邻载片台之间形成有至少一个所述加强筋(20);

步骤2、半导体芯片对应连接在载片台上;芯片之间,或芯片与引脚之间,或芯片与载片台之间通过铜线(50)键接形成电性连接;

步骤3、封装带芯片及键接铜线(50)的引线框架(10);

塑封封装材料覆盖在芯片、载片台的顶部,以及所述加强筋(20)的顶面上,并固化形成塑封体(60);使载片台的底面、加强筋(20)底面和若干引脚暴露在所述塑封体(60)外;

步骤4、从封装体结构的底面,切割去除所述加强筋(20),在相邻载片台之间形成间隔空隙,实现相邻载片台的电气隔离。

8.如权利要求7所述可铜线键接的封装体结构的制作方法,其特征在于,所述步骤1中所述加强筋(20),是在相邻载片台之间的对应位置,通过半腐蚀所述引线框架(10)的上半部分形成的。

9.如权利要求7所述可铜线键接的封装体结构的制作方法,其特征在于,所述步骤2中还包含,将所述芯片底面与所述载片台的顶面固定连接,使所述芯片的若干底部电极,与所述载片台电性连接,并通过由所述若干载片台引出的若干引脚与外部元器件连接。

10.如权利要求9所述可铜线键接的封装体结构的制作方法,其特征在于,所述步骤2中还包含,将与所述若干载片台分隔且无电性连接的若干引脚,与所述芯片的若干顶部电极,通过铜线(50)键接形成电性连接。

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