[发明专利]具有低阻值基材与低功率损耗的半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于包括：

一半导体单元，具有一基材，该基材位于该半导体单元的一侧并具有至少一个孔；

一第一导电结构，位于该半导体单元的该侧的一表面；

一第一导电物质，位于该基材的该孔内并与该第一导电结构电性连接；以及

一第二导电结构，位于该半导体单元的一另一侧的一表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于还包括一第三导电结构，位于该半导体单元的该另一侧的该表面，其中该半导体单元为一金属氧化物半导体场效应晶体管元件，其中，该第一导电结构为一漏极，该第二导电结构为一源极，以及该第三导电结构为一栅极。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该半导体单元还包括：

一第四导电结构，位于该半导体单元的该另一侧的该表面；

一沟道，位于该半导体单元内；以及

一第二导电物质，位于该沟道内，该第二导电物质通过该沟道以电性连结该第一导电结构与该第四导电结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于还包括一第三导电结构，位于该半导体单元的该另一侧的该表面，其中该半导体单元为一金属氧化物半导体场效应晶体管元件，该第二导电结构为一源极，该第三导电结构为一栅极，以及该第四导电结构为一漏极。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于以硅穿孔的方式形成该基材的该孔。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于以硅穿孔的方式形成该沟道。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于该半导体单元以芯片型封装方式进行封装，以形成一封装结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于还包括一散热模块于该封装结构上。

9.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于该第一导电物质与该第二导电物质为相同的物质。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该第一导电物质与该第一导电结构为相同的物质。