[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的第一半导体区，具有第一部分和第二部分，该第一部分包括第一主面，该第二部分在与所述第一主面正交的第一方向上延伸；

第一导电型的第二半导体区，具有第三部分和第四部分，该第三部分在所述第一部分的一侧设置成比所述第二部分沿所述第一方向延伸的长度短；该第四部分与所述第二部分邻接，从所述第三部分的上表面的一部分向所述第一方向延伸；

第二导电型的第三半导体区，具有第五部分和第六部分，该第五部分在所述第三部分的一侧设置成比所述第四部分沿所述第一方向延伸的长度短；该第六部分与所述第四部分邻接，从所述第五部分的上表面的一部分向所述第一方向延伸；

第一导电型的第四半导体区，在所述第五部分之上设置成与所述第六部分邻接；

栅区，设置在沟道内，该沟道在与所述第一方向正交的第二方向上形成在所述第二半导体区、所述第三半导体区及所述第四半导体区；

栅绝缘膜，设置于所述沟道的内壁和所述栅区之间；以及

第二导电型的电场缓和区，设置于所述第三部分和所述第五部分之间，具有比所述第三半导体区的杂质浓度低的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二部分沿着与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向设置。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述第三方向设置有多个所述栅区和多个所述栅绝缘膜。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二半导体区、所述第三半导体区及所述第四半导体区沿着所述第三方向延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅区沿所述第一方向延伸的第一长度比所述第四半导体区沿所述第一方向延伸的第二长度短。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第四半导体区沿所述第一方向延伸的第二长度比所述第三半导体区沿所述第一方向延伸的第三长度短。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第三半导体区沿所述第一方向延伸的第三长度比所述第二半导体区沿所述第一方向延伸的第四长度短。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和区设置成从所述第三部分和所述第五部分之间延伸至所述第四部分的一部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和区设置于所述第三半导体区的大致L字型的角部外侧周边。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和区是降低表面电场区。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成第一导电型的第一半导体区的工序，该第一导电型的第一半导体区具有第一部分和第二部分，该第一部分包括第一主面，该第二部分在与所述第一主面正交的第一方向上延伸；

用第一导电型的第二半导体区覆盖所述第一半导体区，形成第三部分和第四部分的工序，该第三部分在所述第一部分的一侧设置成比所述第二部分沿所述第一方向延伸的长度短，该第四部分与所述第二部分邻接，从所述第三部分的上表面的一部分向所述第一方向延伸；

在所述第三部分的与所述第一主面对置的第二主面上形成第二导电型的电场缓和区的工序；

用第二导电型的第三半导体区覆盖所述第二半导体区，形成第五部分和第六部分的工序，该第五部分在所述第三部分的一侧设置成比所述第四部分沿所述第一方向延伸的长度短，该第六部分与所述第四部分邻接，从所述第五部分的上表面的一部分向所述第一方向延伸；

用第一导电型的第四半导体区覆盖所述第三半导体区的工序；

对所述第四半导体区、所述第三半导体区及所述第二半导体区进行去除，直到所述第二部分露出的工序；以及

在与所述第一方向正交的第二方向，在所述第二半导体区、所述第三半导体区及所述第四半导体区形成沟道，在所述沟道内隔着栅绝缘膜形成栅区的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述电场缓和区的工序中，对所述第二主面注入第二导电型的杂质的离子。