[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一扫描线，配置于该基板上；

一栅极，配置于该基板上且电性连接该扫描线；

一栅绝缘层，配置于该基板上且覆盖该栅极与该扫描线；

一主动层，配置于该栅绝缘层上且对应位于该栅极上方，该主动层包括一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区，其中该源极区与该漏极区的片电阻小于该通道区的片电阻；一阻挡层，配置于该主动层的该通道区上，且暴露出该源极区与该漏极区；

一电容电极，配置于该栅绝缘层上；

一源极电极，位于该栅绝缘层上，且该源极电极电性连接该主动层的该源极区；

一漏极电极，位于该栅绝缘层上，且该漏极电极电性连接该主动层的该漏极区；

一数据线，配置于该栅绝缘层上且电性连接该源极电极，该数据线的延伸方向与该扫描线的延伸方向相交；

一共享线，配置于该栅绝缘层上且连接该电容电极；

一保护层，配置于该栅绝缘层上，该保护层覆盖该主动层、该阻挡层、该电容电极、该源极电极、该漏极电极、该数据线以及该共享线，且该保护层具有一接触窗暴露出至少部分该漏极电极；以及

一像素电极，配置于该保护层上，该像素电极经由该接触窗电性连接至该漏极电极。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共享线的延伸方向平行于该数据线的延伸方向。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该源极电极与该漏极电极覆盖局部的该主动层，该共享线覆盖局部的该电容电极。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该主动层覆盖局部的该源极电极与局部的该漏极电极，该电容电极覆盖局部的该共享线。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该电容电极与该主动层由同一透明材料层图案化而成。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该透明材料层包括一氧化半导体层。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该氧化半导体层的材质包括氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟镓、氧化锌、氧化镉·氧化锗或氧化镍钴。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该阻挡层的材质包括氧化硅、氮化硅、氧化钛、三氧化二铟、氧化铟镓、氧化铟镓锌、二氧化锡、氧化锌、氧化铟锌、银、三氧化锌锡、四氧化二锌锡或非晶硅，或上述组合所组成的群组其中之一。

9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该阻挡层对于波长为308纳米的光线的光穿透率介于2％至10％之间。

10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该源极区与该漏极区的片电阻为小于10⁴Ω/□，该通道区的片电阻为大于10¹²Ω/□。

11.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一第一图案化金属层于该基板上，该第一图案化金属层包括一扫描线以及一栅极，该栅极电性连接该扫描线；

形成一栅绝缘层于该基板上，该栅绝缘层覆盖该栅极与该扫描线；

形成一图案化半导体层于该栅绝缘层上，该图案化半导体层包括一主动层以及一电容电极，其中该主动层对应位于该栅极上方，且该主动层包括一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区；

形成一阻挡层于该主动层的该通道区上，且该阻挡层暴露出该源极区与该漏极区；

以该阻挡层为掩膜对该主动层的该源极区与该漏极区以及该电容电极进行一退火工艺；

形成一第二图案化金属层于该栅绝缘层上，该第二图案化金属层包括一数据线、一共享线、一源极电极以及一漏极电极，该源极电极电性连接该主动层的该源极区，该漏极电极电性连接该主动层的该漏极区，该数据线电性连接该源极电极，且该数据线的延伸方向与该扫描线的延伸方向相交，该共享线电性连接该电容电极；

形成一保护层于该栅绝缘层上，该保护层覆盖该主动层、该阻挡层、该电容电极、该源极电极、该漏极电极、该数据线以及该共享线；

形成一接触窗于该保护层中，该接触窗暴露出至少部分该漏极电极；以及

形成一像素电极于该保护层上，该像素电极经由该接触窗电性连接至该漏极电极。