[发明专利]像素结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构及其制造方法，且尤其涉及一种具有储存电容的像素结构及其制造方法。

背景技术

由于显示器的需求与日遽增，加上近年来绿色环保概念的兴起，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)已逐渐成为显示器市场的主流。为了满足使用者的需求，薄膜晶体管液晶显示器的性能不断朝向高对比(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、高亮度(high luminance)、高色彩丰富度、高色饱和度、快速反应、显示画面稳定与广视角等特性发展。

一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由分别配置有像素阵列与彩色滤光阵列的两基板以及配置于此两基板间的液晶层所组成。图1为现有的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的剖面图。像素结构100包括薄膜晶体管110、像素电极120以及储存电容下电极130。像素电极120电性连接薄膜晶体管110。储存电容下电极130与像素电极120构成储存电容，以维持像素结构100显示影像的稳定。

然而，现有此种储存电容下电极130与薄膜晶体管110的栅极112是以相同的金属层制作，而降低影响像素结构100的开口率(aperture ratio)。若像素结构100应用于穿透式液晶显示器时，则必须提高背光源的发光效能以维持适当的显示亮度，如此将造成能源的耗费。

发明内容

本发明提供所要解决的技术问题是提出一种像素结构，其具有储存电容，且可维持良好的开口率。

本发明更提供一种前述像素结构的制作方法。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种像素结构，包括一基板、一扫描线、一栅极、一栅绝缘层、一主动层、一阻挡层、一电容电极、一源极电极、一漏极电极、一数据线、一共享线、一保护层以及一像素电极。扫描线配置于基板上。栅极配置于基板上且电性连接扫描线。栅绝缘层配置于基板上且覆盖栅极与扫描线。主动层配置于栅绝缘层上且对应位于栅极上方。主动层包括一源极区、一漏极区以及位于源极区与漏极区之间的一通道区，其中源极区与漏极区的片电阻小于通道区的片电阻。阻挡层配置于主动层的通道区上，且暴露出源极区与漏极区。电容电极配置于栅绝缘层上。源极电极位于栅绝缘层上，且源极电极电性连接主动层的源极区。漏极电极位于栅绝缘层上，且漏极电极电性连接主动层的漏极区。数据线配置于栅绝缘层上且电性连接源极电极。数据线的延伸方向与扫描线的延伸方向相交。共享线配置于栅绝缘层上且连接电容电极。保护层配置于栅绝缘层上。保护层覆盖主动层、阻挡层、电容电极、源极电极、漏极电极、数据线以及共享线，且保护层具有一接触窗暴露出漏极电极。像素电极配置于保护层上。像素电极经由接触窗电性连接至该漏极电极。

在本发明之一实施例中，共享线的延伸方向实质上平行于数据线的延伸方向

在本发明之一实施例中，源极电极与漏极电极覆盖局部的主动层，而共享线覆盖局部的电容电极。

在本发明之一实施例中，主动层覆盖局部的源极电极与局部的漏极电极，而电容电极覆盖局部的共享线。

在此更提出一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一第一图案化金属层于基板上，第一图案化金属层包括一扫描线以及一栅极，栅极电性连接扫描线；形成一栅绝缘层于基板上，栅绝缘层覆盖栅极与扫描线；形成一图案化半导体层于栅绝缘层上，图案化半导体层包括一主动层以及一电容电极，其中主动层对应位于栅极上方，且主动层包括一源极区、一漏极区以及位于源极区与漏极区之间的一通道区；形成一阻挡层于主动层的通道区上，且阻挡层暴露出源极区与漏极区；以阻挡层为掩膜对主动层的源极区与漏极区以及电容电极进行一退火(annealing)工艺，使源极区与漏极区的片电阻小于通道区的片电阻；形成一第二图案化金属层于栅绝缘层上，第二图案化金属层包括一数据线、一共享线、一源极电极以及一漏极电极，源极电极电性连接主动层的源极区，漏极电极电性连接主动层的漏极区，数据线电性连接源极电极，且数据线的延伸方向与扫描线的延伸方向相交，共享线电性连接电容电极；形成一保护层于栅绝缘层上，保护层覆盖主动层、阻挡层、电容电极、源极电极、漏极电极、数据线以及共享线；形成一接触窗于保护层中，接触窗暴露出漏极电极；以及，形成一像素电极于保护层上，像素电极经由接触窗电性连接至漏极电极。