[发明专利]模板修补方法、图案形成方法及模板修补装置无效

专利信息
申请号: 201110053265.4 申请日: 2011-03-04
公开(公告)号: CN102236251A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 伊藤信一;河野拓也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/09
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 模板 修补 方法 图案 形成 装置
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请基于2010年4月28日提交的日本专利申请2010-104564并要求其优先权,该日本专利申请的全部内容通过引用的方式结合在此。

技术领域

本发明的实施方式涉及模板修补方法、图案形成方法及模板修补装置。

背景技术

纳米压印法是将形成于模板(也称为原版、冲模或样板)的凹凸图案转印于被加工膜上的压印材料的技术。若在微小粒子存在于模板的表面和/或被加工膜表面的状态下进行压印,则微小粒子会损伤模板,在模板的表面产生缺损。因为若在模板的表面存在缺损,则该缺损也被转印于压印材料,所以对于模板要求是无缺损的。

发明内容

本发明的模板修补方法,是具备模板的基材和形成于前述基材的图案面的第1脱模层的模板的修补方法,包括:对前述模板基材的图案面供给相对于前述基材具有亲和性且相对于前述脱模层具有非亲和性的材料。

附图说明

图1是表示模板的一例的剖面图。

图2是表示第1实施方式的模板修补装置的概略的结构例的框图。

图3是表示第1实施方式的模板的缺损部分的修补的状况的主要部分剖面图。

图4是表示第1实施方式的模板的缺损部分的修补的工序例的流程图。

图5是表示第2实施方式的模板修补装置的概略的结构例的框图。

图6是表示第2实施方式的模板的缺损部分的修补的状况的主要部分剖面图。

图7是表示第2实施方式的模板的缺损部分的修补的工序例的流程图。

图8是表示第3实施方式的模板修补装置的概略的结构例的框图。

图9是表示第3实施方式的模板的缺损部分的修补的状况的主要部分剖面图。

图10是表示第3实施方式的模板的缺损部分的修补的工序例的流程图。

图11是表示第4实施方式的模板修补装置的概略的结构例的框图。

图12是表示第4实施方式的模板的缺损部分的修补的状况的主要部分剖面图。

图13是表示第4实施方式的模板的缺损部分的修补的工序例的流程图。

图14是表示第5实施方式的压印装置的概略的结构例的图。

图14(2)是表示第5实施方式的变形的压印装置的概略的结构例的图。

图15是表示第6实施方式的压印装置的概略的结构例的图。

具体实施方式

实施方式的模板修补方法,是具备模板的基材和形成于前述基材的图案面的第1脱模层的模板的修补方法,包括:对前述模板基材的图案面供给相对于前述基材具有亲和性且相对于前述脱模层具有非亲和性的材料。

(模板的结构)

图1(a)是表示模板的一例的剖面图,图1(b)是表示图1(a)所示的模板产生了缺损的状态的剖面图。

该模板1如图1(a)所示,基材2和脱模层(第1脱模层4),所述基材2具有相对的第1及第2主面2a、2b并在第1主面2a形成有包含凹部3a及凸部3b的凹凸图案3,所述脱模层形成于凹凸图案3的表面。

基材2的凹凸图案3例如包含以小于等于100nm间距规则性地重复线图案和空间图案而成的线与空间图案(Line and Space Pattern)。基材2例如包含具有光透射性的石英。

在脱模层4的形成中,用相对于压印材料提高脱模性的材料,在将有机物用于压印材料的情况下例如能够使用六甲基二硅氮烷等硅烷偶联剂和/或氟代烃等氟类材料等。在本实施方式中,使用氟代烃。脱模层4例如具有1nm左右的膜厚。在此,所谓“脱模性”,指在压印材料的固化后、使压印材料与模板分离(脱模)时的特性。通过使脱模性提高,能够不使固化了的压印材料的图案损伤地进行脱模。

(模板的使用)

模板1例如在以下的纳米压印法中所使用。即,在形成于基板上的被加工膜上涂敷包含光固化性树脂的压印材料,并在使模板1的第1主面2a接触于压印材料的状态下从第2主面2b侧对压印材料照射紫外线而使压印材料固化。接着,通过使模板1从固化了的压印材料脱模,而将模板1的凹凸图案3转印于被图案膜上的压印材料作为凹凸图案。将转印有凹凸图案3的凹凸的压印材料作为掩模,通过RIE(Reactive Ion Etching,反应离子蚀刻)法对被加工膜进行蚀刻。另外,对于压印材料,也可以使用热塑性树脂、热固化性树脂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110053265.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top