[发明专利]多晶硅生产方法和系统

权利要求书

1.一种多晶硅生产方法，包括：

提供由三氯氢硅和二氯二氢硅组成的硅源，其中三氯氢硅和二氯二氢硅的比例范围在20:1和30:1之间；

加热硅源以使其形成气体三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体；

提供氢气；

使三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体与氢气混合；

提供设置有硅芯的还原炉；以及

在还原炉中引入混合后的三氯氢硅气体、二氯二氢硅气体与氢气，并且使还原炉中的气体压力为0.4-0.6Mpa，硅芯温度为1080-1150℃，从而在硅芯上还原制备多晶硅。

2.权利要求1的多晶硅生产方法，其中三氯氢硅和二氯二氢硅的纯度均不低于99.9999999％。

3.权利要求1的多晶硅生产方法，其中氢气的纯度不低于99.999％。

4.权利要求1的多晶硅生产方法，还包括步骤：

从还原炉产生的副产物中分离出三氯氢硅和二氯二氢硅；以及

将分离出三氯氢硅和二氯二氢硅重新形成硅源。

5.权利要求1的多晶硅生产方法，其中硅源中的三氯氢硅和二氯二氢硅的比例为20:1。

6.权利要求1的多晶硅生产方法，其中还原炉中的气体压力为0.6Mpa。

7.权利要求1的多晶硅生产方法，其中还原炉中的硅芯温度为1080℃。

8.权利要求4的多晶硅生产方法，其中在从还原炉产生的副产物中分离出三氯氢硅和二氯二氢硅之前，还使副产物与将要进入还原炉的混合后的三氯氢硅气体、二氯二氢硅气体与氢气进行热交换。

9.一种多晶硅生产系统，包括：

设置有硅芯的还原炉；

换热器；

通过换热器与还原炉连通的冷凝器；

与冷凝器连通的冷凝料存储器；

与冷凝料存储器连通的精馏塔；

与精馏塔连通的硅烷存储器；

与硅烷存储器连通的硅烷加热器;

与硅烷加热器连通的混合器；以及

与混合器连通的氢气加热器；

其中混合器也通过换热器与还原炉连通。

10.根据权利要求9所述的多晶硅生产系统，还包括：与氢气加热器连通的氢气存储器和/或与硅烷存储器连通的三氯氢硅存储器。