[发明专利]一种熔盐电解精炼工业硅制备硅纳米线方法

权利要求书

1.一种以NaF、LiCl₃、NaCl、KCl、KF、Na₂SiF₆、K₂SiF₆或它们的混合物为电解质。工业硅为原料制成阳极，高于电解质熔点操作温度，电解精炼制备硅纳米线方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将熔盐常规方法200℃，恒温2天脱水制成电解质，碳还原石英石制备的工业硅定向凝固除杂制成阳极；

(2)在熔盐电解质中两极间施加低于熔盐电解质分解高于硅沉积的电压，极间距≥1cm，恒电流电解精炼；

(3)电解一定时间取出阴极钨棒，插入另一根钨棒连续电解精炼合成硅纳米线，将取出的钨棒放入稀盐酸中除盐，过滤产物，再用去离子水清洗，60℃烘干，封装，处理好的钨棒重新使用。

2.根据权利要求1所述的一种以NaF、LiCl₃、NaCl、KCl、KF、Na₂SiF₆、K₂SiF₆或它们的混合物为电解质，工业硅定向凝固除杂制成阳极，高于电解质熔点操作温度，电解精炼制备硅纳米线方法，其特征在于步骤(1)将熔盐常规方法200℃，恒温2天脱制成电解质，石英石、碳还原制备的工业硅定向凝固除杂制成阳极。

3.根据权利要求1所述的一种以NaF、LiCl₃、NaCl、KCl、KF、Na₂SiF₆、K₂SiF₆或它们的混合物为电解质，工业硅定向凝固除杂制成阳极，高于电解质熔点操作温度，电解精炼制备硅纳米线方法，其特征在于步骤(2)在熔盐电解质中两极间施加低于熔盐电解质分解高于硅沉积的电压，极间距≥1cm，恒电流电解精炼。

4.根据权利要求1所述的一种以NaF、LiCl₃、NaCl、KCl、KF、Na₂SiF₆、K₂SiF₆或它们的混合物为电解质，工业硅定向凝固除杂制成阳极，高于电解质熔点操作温度，电解精炼制备硅纳米线方法，其特征在于步骤(3)电解一定时间取出阴极钨棒，插入另一根钨棒连续电解精炼；将取出的钨棒放入稀盐酸中除盐，过滤产物，再用去离子水清洗，60℃烘干，封装，处理好的钨棒重新使用。