[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

正面元件结构，其设置在第一导电类型衬底的第一主面上；

第二导电类型的第一半导体区，其在所述衬底的第一主面上设置在一元件的端部处；

凹部，其从所述衬底的第二主面延伸至所述第一半导体区；以及

第二导电类型的第二半导体区，其设置在所述衬底的第二主面上且与所述第一半导体区电连接，

其中所述第一半导体区包括至少一个解理面，所述至少一个解理面将所述凹部的底部和侧壁之间的边界作为其一条边。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一半导体区与作为衬底的第一导电类型的第三半导体区相邻，以及

第一半导体区中的从所述解理面到正面元件结构的一部分中所包括的杂质的量被设置成使从所述第三半导体区延伸至第一半导体区中的耗尽层不到达所述解理面。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

杂质的总量大于或等于1.2×10¹²/cm²。

4.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一导电类型的晶片的第一主面上形成第二导电类型的第一半导体区；

在所述晶片的第一主面上形成正面元件结构；

形成从所述晶片的第二主面延伸至所述第一半导体区的凹部；

在所述晶片的第二主面上形成第二导电类型的第二半导体区，并使其电连接至所述第一半导体区；以及

去除所述第一半导体区的一部分并将所述晶片切割成芯片，

其中在去除工序中，所述第一半导体区被去除，使得所述第一半导体区的切割面相对于所述晶片的第一主面倾斜。

5.如权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在去除时，所述第一半导体区被形成为包括至少一个解理面，其将所述凹部的底部和侧壁之间的边界作为一条边。

6.如权利要求4或5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在去除工序中，通过将刀片下移至所述第一半导体区的第一主面、并且当所述刀片的边缘至少向下从所述凹部伸出时停止所述刀片的下移，来切割所述晶片。

7.如权利要求4或5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在去除工序中，通过将第一激光束发射至所述第一半导体区的表面从而所述第一激光束的直径随着距离所述第一半导体区的表面的深度增大而逐渐减小，来切割所述晶片。

8.如权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在去除时，所述第一激光束的直径沿着切割面逐渐减小以从所述第一半导体区的表面露出。

9.如权利要求4或5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在去除时，通过将第二激光束沿所述切割面发射至一深度以在所述第一半导体区中露出来使所辐照部分变性、并向所述晶片施加外力以沿变性部分切割所述第一半导体区，来切割晶片。

10.如权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

在去除工序中，所述第二激光束的发射深度从第一半导体区的去除部分的端部向去除部分的中心逐渐增大。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

将施加到晶片表面上的抗蚀剂图案化以形成掩模，在所述掩模中所述晶片的凹部的形成区域设置有开口；以及

使用碱性蚀刻剂以及所述掩模进行蚀刻以在所述晶片中形成凹部，

其中所述掩模的隅角包括突入到形成有所述凹部的区域之上的凸部。

12.如权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述凸部具有一条边的宽度为a₁的正方形，以及

当所述凹部的深度为d时，等于宽度a₁一半的宽度a₂满足a₂＝0.60d。

13.如权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述凸部具有半径为a₃的圆形，以及

当所述凹部的深度为d时，半径a3满足a₃＝0.81d。

14.如权利要求11至13中的任一项所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述碱性蚀刻剂包括氢氧化四甲铵、硫酸氢铵和硅。