[发明专利]半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法

权利要求书

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包含被划片街区分开的多个半导体管芯的半导体晶片;

在半导体晶片上形成第一绝缘层;

沿划片街区在包括半导体管芯的边缘的第一绝缘层上形成保护层;

通过保护层和划片街区单体化半导体晶片以分离半导体管芯同时保护半导体管芯的边缘;

以保护层为首，将半导体管芯安装到载体;

在半导体管芯和载体上沉积密封剂;

除去载体和保护层;以及

在半导体管芯和密封剂上形成装配互连结构。

2. 根据权利要求1的方法，其中第一绝缘层具有非平面表面且保护层具有平面表面。

3. 根据权利要求1的方法，还包括除去密封剂的与第一绝缘层相对的部分。

4. 根据权利要求1的方法，还包括在半导体晶片的整个表面上形成保护层。

5. 根据权利要求1的方法，还包括在划片街区上的保护层中形成开口。

6. 根据权利要求1的方法，其中形成装配互连结构包括：

在密封剂和第一绝缘层上形成第二绝缘层；

在第二绝缘层上形成导电层；以及

在第二绝缘层和导电层上形成第三绝缘层。

7. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包含多个半导体管芯的半导体晶片；

在半导体晶片上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成保护层；

通过保护层单体化半导体晶片以分离半导体管芯同时保护半导体管芯的边缘；

将半导体管芯安装到载体；

在半导体管芯和载体上沉积密封剂；

除去载体和保护层；以及

在半导体管芯和密封剂上形成装配互连结构。

8. 根据权利要求7的方法，其中第一绝缘层具有非平面表面且保护层具有平面表面。

9. 根据权利要求7的方法，还包括除去密封剂的与第一绝缘层相对的部分。

10. 根据权利要求7的方法，还包括在半导体晶片的整个表面上形成保护层。

11. 根据权利要求7的方法，其中保护层在划片街区上具有开口。

12. 根据权利要求7的方法，还包括在半导体管芯周围的密封剂中形成空腔。

13. 根据权利要求7的方法，还包括在除去保护层之前在密封剂中形成空腔。

14. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在半导体管芯上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成保护层；

以保护层为为首，将半导体管芯安装到载体；

在半导体管芯和载体上沉积密封剂；

除去载体和保护层；以及

在半导体管芯和密封剂上形成装配互连结构。

15. 根据权利要求14的方法，其中第一绝缘层具有非平面表面。

16. 根据权利要求14的方法，其中保护层具有平面表面。

17. 根据权利要求14的方法，其中保护层保护半导体管芯的边缘。

18. 根据权利要求14的方法，进一步包括：

在密封剂和保护层上施加胶带；

除去密封剂的与第一绝缘层相对的部分；以及

利用胶带除去保护层。

19. 根据权利要求14的方法，还包括利用去离子水和漂洗或化学脱模来除去保护层。

20. 根据权利要求14的方法，还包括在半导体管芯周围的密封剂中形成空腔。

21. 一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

形成在半导体管芯上的第一绝缘层；

形成在第一绝缘层上的保护层；

沉积在半导体管芯上的密封剂；

形成在半导体管芯和密封剂上的装配互连结构。

22. 根据权利要求21的半导体器件，其中第一绝缘层具有非平面表面。

23. 根据权利要求21的半导体器件，其中保护层具有平面表面。