[发明专利]电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件有效

专利信息
申请号: 201110059754.0 申请日: 2011-03-04
公开(公告)号: CN102190486A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 高野弘介;福冈智久;前田信;松永裕太;石津谷正英;石山保;山田高裕 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/465 分类号: C04B35/465;C04B35/48;C04B35/49;C04B35/622;H01B3/12
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 刘粉宝
地址: 日本东京都中*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电介质 组成 以及 陶瓷 电子零件
【权利要求书】:

1.一种电介质瓷组成物,其特征在于,

作为主成分,含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物,A是Ba、Ca和Sr中选出的至少一种,B是从Ti和Zr选出的至少一种;

相对于100摩尔的上述化合物,作为副成分,含有

用RA2O3换算,1.0~2.5摩尔的RA氧化物,RA为Dy、Gd以及Td形成的一群中选出的至少一种、

用RB2O3换算,0.2~1.0摩尔的RB氧化物,RB为Ho和Y形成的一群中选出的至少一种、

用RC2O3换算为0.1~1.0摩尔的RC氧化物,RC为Yb及Lu形成的一群中选出的至少一种、

用Mg换算为0.8~2.0摩尔的Mg氧化物、

用Si换算为1.2~3.0摩尔的含Si化合物;

相对于100摩尔的上述化合物,上述RA氧化物的含量、上述RB氧化物的含量以及上述RC氧化物的含量分别记为α、β、γ时,满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。

2.根据权利要求1所述的电介质瓷组成物,其特征在于,作为副成分,还含有以V、Mo、W换算为0.03~0.12摩尔的从V、Mo、W形成的一群中选出的至少一种氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的电介质瓷组成物,其特征在于,作为副成分,还含有以Mn和Cr换算为0.10~0.2摩尔的Mn和/或Cr的氧化物。

4.根据权利要求1或2所述的电介质瓷组成物,其特征在于,所述ABO3为BaTiO3

5.一种陶瓷电子零件,其特征在于,具有权利要求1记载的电介质瓷组成物构成的电介质层和电极,所述电介质层的厚度为5.0微米以下。

6.根据权利要求5所述的陶瓷电子零件,其特征在于,

作为副成分,还含有以V、Mo、W换算为0.03~0.12摩尔的从V、Mo、W形成的一群中选出的至少一种的氧化物,

含有以Mn和Cr换算为0.10~0.2摩尔的Mn和/或Cr的氧化物。

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