[发明专利]电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件

说明书

技术领域

本发明涉及电介质瓷组成物以及将该电介质瓷组成物使用于电介质层的陶瓷电子零件，特别是涉及即使是将电介质层做成薄层的情况下也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及使用该电介质瓷组成物的陶瓷电子零件。

背景技术

作为陶瓷电子零件的一个例子的叠层陶瓷电容器，作为小型化、高性能化、高可靠性的电子零件得到广泛应用，在电气设备和电子设备中使用的数目越来越多。近年来，随着设备的小型化和高性能化，对叠层陶瓷电容器的进一步小型化、高性能化、高可靠性化的要求越来越严格。

对于这样的要求，在例如日本专利特开平10-223471号公报中记载了具有在钛酸钡中含两种稀土氧化物和其他金属氧化物的电介质陶瓷层的叠层陶瓷电容器。而且记载了该叠层陶瓷电容器的介电常数、绝缘电阻、温度特性以及高温负荷寿命等的耐候性优异的情况。

但是，特开平10-223471号公报的实施例中记载的叠层陶瓷电容器的电介质层的厚度为8微米，存在进一步使该电介质层薄型化的情况下不能提高特性的问题。

发明内容

本发明是鉴于这样的实际情况而作出的，其目的在于，提供即使是使电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及将该电介质瓷组成物使用于电介质层的陶瓷电子零件。

为了实现上述目的，本发明的电介质瓷组成物，其特征在于，作为主成分，含有用一般式ABO₃(A是Ca和Sr中选出的至少一种，B是从Ti和Zr中选出的至少一种)表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物，相对于100摩尔的上述化合物，作为副成分，含有用RA₂O₃换算为1.0～2.5摩尔的RA氧化物(RA为Dy、Gd以及Tb形成的一群中选出的至少一种)、用RB₂O₃换算为0.2～1.0摩尔的RB氧化物(RB为Ho和Y形成的一群中选出的至少一种)、用RC₂O₃换算为0.1～1.0摩尔的RC氧化物(RC为Yb及Lu形成的一群中选出的至少一种)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的含Si化合物，相对于100摩尔的上述化合物，上述RA氧化物的含量、上述RB氧化物的含量以及上述RC氧化物的含量分别记为α、β、γ时，满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。

在本发明中，通过将各成分的含量定于上述范围内，能够得到即使是使电介质层薄型化的情况下各种特性也良好的电介质瓷组成物。特别是将稀土元素分为三组，通过将其含有的比例限定于上述范围内，对主成分(ABO₃)中的稀土元素的固溶状态进行控制，能够使相反的特性都好。

最好是作为副成分还含有用V、Mo以及W换算为0.03～0.12摩尔的从V、Mo以及W形成的一群中选出的至少一种氧化物。

最好是作为副成分还含有用Mn和Cr换算为0.10～0.2摩尔的Mn和/或Cr的氧化物。

本发明的电介质瓷组成物由于还含有上述成分，因此能够进一步提高特性。

最好是上述ABO₃为BaTiO₃。这样能够得到大容量而且可靠性高的电介质瓷组成物。

又，本发明的陶瓷电子零件具有上述任意一项记载的电介质瓷组成物构成的电介质层和电极。最好是上述电介质层的厚度为5.0微米以下。作为陶瓷电子产品，没有特别限定，例如可以是叠层陶瓷电容器、压电元件、芯片电感、芯片式压敏电阻、芯片式热敏电阻、芯片电阻、其他表面安装(SMD)芯片型电子零件。

附图说明

图1是本发明一实施形态的叠层陶瓷电容器的剖面图。

具体实施方式

下面根据附图所示的实施形态对本发明进行说明。

叠层陶瓷电容器1如图1所示，作为叠层陶瓷电子零件的一个例子的叠层陶瓷电容器1，具有电介质层2和内部电极层3交错叠层构成的电容器元件主体10。内部电极层3叠层为各端面在电容器元件主体10的相对的2个端部的表面交替露出。一对外部电极4形成于电容器主体10的两端部，连接于交替配置的内部电极层3的露出的端面，构成电容器电路。

对电容器元件主体10的形状没有特别限定，如图1所示通常形成为长方体状。而且对其尺寸也没有特别限制，根据用途采用适当的尺寸即可。