[发明专利]一种深槽和深注入型超结器件

权利要求书

1.一种功率器件，包括：

衬底；

形成在衬底上的多个具有第一导电类型的第一区；以及

形成在衬底上的多个具有第二导电类型的第二区，所述第二区与所述第一区交错，每一个所述第二区包含：

沟槽区；

注入区，注入于所述衬底和所述沟槽区之间；

导电柱，形成于沟槽区内；以及

绝缘层，用于将导电柱同注入区以及邻近第二区的第一区隔开。

2.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述衬底是N+衬底，所述第一区是N区，所述第二区是P区。

3.如权利要求1所述器件，其特征在于，第一导电类型是N型，第二导电类型是P型。

4.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述导电柱包含掺杂的多晶硅。

5.如权利要求1所述器件，其特征在于，每一个所述第一区形成柱状，并被垂直淀积在所述衬底和具有第二导电类型的第三区之间。

6.如权利要求5所述器件，其特征在于，每一个所述第一区与所述第三区电短路。

7.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述衬底至少包含两层，且每一层的掺杂浓度不同。

8.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述绝缘层包含二氧化硅。

9.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述绝缘层包含旋涂玻璃、流动性氧化物或有机材料。

10.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述器件还包括活性层，所述沟槽区延伸进器件的活性层。

11.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述器件是金属氧化物半导体场效应管。

12.如权利要求1所述器件，其特征在于，多个第一区和多个第二区形成所述功率器件的漂移区。

13.如权利要求1所述器件，其特征在于，所述器件是金属氧化物半导体场效应管，并且所述功率器件进一步包括：

第一导电类型的漏极区；

源极区；以及

栅极区。

14.一种晶体管，包括：

衬底；

漂移区，与所述衬底接触，所述漂移区包含：

多个具有第一导电类型的第一区；以及

多个具有第二导电类型的第二区，所述第二区与所述第一区交错，

其特征在于，每一个所述第二区包含：

沟槽区；

注入区，注入于所述衬底和沟槽区之间；

导电柱，形成于沟槽区内；以及

绝缘层，用于将导电柱同注入区以及邻近第二区的第一区隔开。

15.如权利要求14所述的晶体管，其特征在于，进一步包括：

漏极区，与所述衬底接触；

源极区，与所述漂移区接触；

栅极区，与所述漂移区电容性耦合。

16.如权利要求14所述晶体管，其特征在于，所述晶体管是垂直超结功率晶体管。

17.一种制作半导体器件的方法，包括：

在所述衬底上形成半导体材料层；

在所述半导体材料层中形成系列沟槽，所述沟槽部分通过所述半导体材料；

通过所述沟槽，在所述半导体材料中注入注入区；

在一个或多个所述沟槽表面形成绝缘层；以及

在部分所述沟槽中填充第一材料。

18.如权利要求17所述方法，其特征在于，所述半导体材料层是外延层。

19.如权利要求17所述方法，其特征在于，所述沟槽不延伸进衬底。

20.如权利要求17所述方法，其特征在于，所述注入区从沟槽底部延伸至衬底。

21.如权力要求17所述方法，其特征在于，所述半导体材料层是通过化学气相积淀工艺、等离子体增强化学气相淀积工艺、原子层淀积工艺或液相外延工艺形成的外延层。

22.如权利要求17所述方法，其特征在于，所述衬底和所述半导体材料是第一导电类型，而注入区和填充材料是第二导电类型。