[发明专利]一种晶硅太阳能电池片加工破碎原因寻找方法无效
申请号: | 201110060723.7 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN102194922A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 段力华;李景泉 | 申请(专利权)人: | 江门尚日新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 529080 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 加工 破碎 原因 寻找 方法 | ||
1.一种晶硅太阳能电池片加工破碎原因寻找方法,包括对太阳能电池片的加工过程和设备状况的检查;其特征在于:还包括首先对太阳能电池片加工过程产生的太阳能电池片碎片寻找破碎点。
2.按照权利要求1所述晶硅太阳能电池片加工破碎原因寻找方法,其特征在于:所述寻找破碎点的步骤包括:
步骤1:选取样品并予以标记
——在产生太阳能电池片碎片时,选取供分析的碎片样品,对选定的样品在其从设备取下前,标记其于完整的太阳能电池片的方位;
步骤2:铺图纸
——平铺一绘有太阳能电池片完整的周边和主栅线的图纸;
步骤3:描碎裂线
——将太阳能电池片碎片样品逐一按照所标记的方位定位于图纸,沿其碎裂边沿描出碎裂线;
步骤4:确定碎裂点
——观察各碎裂线,对其最集中的汇集处确定为碎裂点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的