[发明专利]一种晶硅太阳能电池片加工破碎原因寻找方法无效
申请号: | 201110060723.7 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN102194922A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 段力华;李景泉 | 申请(专利权)人: | 江门尚日新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 529080 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 加工 破碎 原因 寻找 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶硅太阳能电池片加工破碎原因寻找方法,在国际专利分类表中,分类可属于H01L31/18。
背景技术
晶硅太阳能电池片既薄又脆,在加工过程中容易发生破碎,产生碎片。碎片率过高,将严重影响生产效率和成本。业界一直在为降低碎片率而努力,可见公布号为CN101587922、CN101609848、CN1937263和CN101640229的中国发明专利申请说明书。晶硅太阳能电池片在加工过程中发生破碎的原因比较复杂,既有物理性的,例如来自加工装置的机械应力或热应力;也有化学性的,例如刻蚀欠均匀等。若寻找欠准确,破碎原因即难以有效消除。然而,目前寻找破碎原因的方法仍相当原始,主要是直接对太阳能电池片的加工过程和设备进行检查。例如,某工厂所规定的工艺如下:
1、检查上料台抓手,主要检查吹气角度、吹气量、吹气时间及吹起片子时片子是否存在抖动和吸嘴下降的位置是否会顶到硅片及吸嘴的水平;
2、检查丝印台面,主要检查纸张处有无小颗粒、小碎片及残留浆料;
3、检查烘箱托盘处是否存在小碎片;
4、检查各翻转处真空是否异常及各定位夹夹片是否异常;
5、检查测试探针,主要检查探针伸缩性是否良好;
6、检查抓手水平及吸嘴是否异常,抓手放片子到盒子位置是否正常。
可见,这些传统查找加工破碎原因的方法缺乏针对性,需逐一进行排查,比较繁琐耗时,严重影响到电池良品合格率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提出一种晶硅太阳能电池片加工破碎原因寻找方法,可以避免如背景技术所述现有技术的弊病,提高寻找加工破碎原因的工作效率。
本发明解决技术问题的技术方案是,一种晶硅太阳能电池片加工破碎原因寻找方法,包括对太阳能电池片的加工过程和设备状况的检查;其特征在于:还包括首先对太阳能电池片加工过程产生的太阳能电池片碎片寻找破碎点。
所述破碎点即太阳能电池片加工过程产生的众多碎片相应于完整的太阳能电池片的破裂位置比较集中的交汇点。寻找到破碎点后,即可以比较容易地按照破碎点相应于加工过程和设备的位置,查找到破碎点发生于加工过程和设备的物理性或化学性原因并即予消除。例如:
——由于加工装置紧贴太阳能电池片的平面有局部突起,对太阳能电池片局部产生过大的压强,此时应铲去该局部突起;或者,
——由于加热装置的局部异常高温或低温,对太阳能电池片局部产生过大的热应力。此时应调整加热器的分布位置,消除在该局部温度分布的不均匀;或者,
——刻蚀异常不均匀,主要是局部腐蚀过度以至强度下降,此时应调整腐蚀液的分布,消除局部浓度的不均匀。
对太阳能电池片加工过程产生的太阳能电池片碎片寻找破碎点的步骤包括:
步骤1:选取样品并予以标记
——在产生太阳能电池片碎片时,选取供分析的碎片样品,对选定的样品在其从设备取下前,标记其于完整的太阳能电池片的方位;
步骤2:铺图纸
——平铺一绘有太阳能电池片完整的周边和主栅线的图纸;
步骤3:描碎裂线
——将太阳能电池片碎片样品逐一按照所标记的方位定位于图纸,沿其碎裂边沿描出碎裂线;
步骤4:确定碎裂点
——观察各碎裂线,对其最集中的汇集处确定为碎裂点。
本发明的技术方案和效果将在具体实施方式中结合附图作进一步的说明。
附图说明
图1是本发明实施例示意图。
具体实施方式
如图1所示,在产生太阳能电池片碎片时,选取供分析的碎片样品1、2、3、4、5、6,其分别具有碎裂边沿11、12、13、14、15、16。对这些选定的样品在其从设备取下前,标记其于完整的太阳能电池片的方位:
——对碎片样品1,标记“靠左边”;
——对碎片样品2,标记“靠上边”;
——对碎片样品3,标记“靠上边”;
——对碎片样品4,标记“靠左边”;
——对碎片样品5,标记“靠下边”;
——对碎片样品6,标记“靠左边”。
然后,平铺一绘有太阳能电池片完整的周边和主栅线的图纸21,将碎片样品1按照标记的指示,使碎片样品1的左边紧靠图纸21上的太阳能电池片左边线,且上下边对齐,随即用铅笔紧靠着碎裂边沿11在图纸21上描出碎片样品1的碎裂线31。
接着,将碎片样品2按照标记的指示,使碎片样品1的上边紧靠图纸21上的太阳能电池片上边线,且左右边对齐,随即用铅笔紧靠着碎裂边沿12在图纸21上描出碎片样品2的碎裂线32。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的