[发明专利]闪存及其编程方法有效
申请号: | 201110061751.0 | 申请日: | 2011-03-15 |
公开(公告)号: | CN102184745A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/34 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 及其 编程 方法 | ||
1.一种闪存,至少包括:
排成多行和多列的存储单元阵列,该存储单元阵列具有多条第一位线、多条第二位线以及形成阵列的多个闪存单元,每列闪存单元分别与一第一位线与第二位线相连;
位线刷新电路,用于在编程期间对位线上的电压进行刷新,其包含多个电流镜电路,其中每个电流镜电路连接于一调节电压与该存储单元阵列之一位线之间,该电流镜电路使得与其连接的位线上的编程电压不会倒灌至该调节电压;以及
列选通电路,其通过各条位线与该存储单元阵列连接,用于选择将哪一路数据输出。
2.如权利要求1所述的一种闪存,其特征在于:每个电流镜电路至少包括栅极相连的第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管以及漏栅短接的第一NMOS晶体管,其中,该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管源极接至该调节电压,该第一PMOS晶体管栅漏短接后通过一电流源接地,第一NMOS晶体管栅漏短接后接至该第二PMOS晶体管漏极,该第一NMOS晶体管接至该存储单元阵列之一位线。
3.如权利要求2所述的一种闪存,其特征在于:该调节电压由调节电路提供,该调解电路至少包括比较器,第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管以及第二NMOS晶体管,其中,该比较器负输入端接一参考电压,输出端与该第三PMOS晶体管栅极相连,第三PMOS晶体管源极接电源电压,漏极输出该调节电压,并且该第三PMOS晶体管漏极分别接至该第四PMOS晶体管源极与第二NMOS晶体管漏极,第四PMOS晶体管栅漏短接后连接至该第五PMOS晶体管源极,该第五PMOS晶体管栅极接一非编程使能信号,漏极与该第六PMOS晶体管漏极共同通过相互串联的第一电阻与第二电阻接地,第二NMOS晶体管栅漏短接,源极连接至该第六PMOS晶体管源极,该第六PMOS晶体管栅极接编程使能信号PROGEN,并且,该第一电阻与该第二电阻的中间节点连接至该比较器的正输入端。
4.如权利要求3所述的一种闪存,其特征在于:该调节电压还连接至该存储单元阵列的每条字线。
5.一种如权利要求1之闪存的编程方法,包括如下步骤:
将所有位线预充电至一调节电压;
将连接所编程单元的第一位线充电至一编程电压,并将该编程单元所在列的第二位线及该编程单元后列的第一位线均连接一恒定电流源,以获得一恒定的低电压。
6.如权利要求5所述的一种闪存的编程方法,其特征在于,该调节电压约为参考电压的两倍。
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