[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
| 申请号： | 201110062313.6 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102222741A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/42;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件，包括：
第一电极；
所述第一电极上的发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；
所述发光结构上的第二电极；以及
所述发光结构上的控制开关，用以控制所述发光结构。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述控制开关响应控制信号来控制所述发光结构的工作。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述控制信号包括导通/截止控制信号和灰阶控制信号中的一个。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述控制开关包括半导体开关。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述半导体开关包括MOSFET开关、JFET开关、CMOS开关、以及BJT开关中的一个。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述控制开关被形成在所述发光结构的外围区域处。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述控制开关包括：
主体，所述主体包括第一掺杂物；
所述主体上的源极和漏极区域，所述源极和漏极区域包括第二掺杂物；
在所述源极和漏极区域之间的所述主体上的栅极绝缘层；以及
所述栅极绝缘层上的栅极电极。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述主体从用于支撑所述发光结构的衬底形成。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述主体包括硅和蓝宝石中的一个。
10.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一掺杂物具有与所述第一半导体层相同的极性。
11.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第二掺杂物具有与所述第二半导体层相同的极性。
12.根据权利要求7所述的发光器件，进一步包括分别在所述源极区域和所述漏极区域上的源极和漏极电极。
13.根据权利要求12所述的发光器件，进一步包括在所述源极区域和所述漏极电极中的一个和所述第二电极之间的布线。
14.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一电极和所述发光结构之间的欧姆接触层和反射层中的至少一个。
15.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括与所述第二电极接触的所述发光结构上的凹凸图案。
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