[发明专利]发光器件和发光器件封装

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年4月13日提交的韩国专利申请No.10-2010-0033835的优先权，通过引用将其整体合并在此。

技术领域

本发明涉及发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。LED能够产生具有高亮度的光，使得LED已经被广泛地用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，通过荧光材料或者组合具有各种颜色的LED，LED能够呈现具有优秀的光效率的白色。

发明内容

实施例提供具有新颖结构的发光器件和发光器件封装。

实施例提供具有开关功能的发光器件。

根据实施例，发光器件可以包括：第一电极；第一电极上的发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；发光结构上的第二电极；以及发光结构上的控制开关，以用于控制发光结构。

根据实施例，发光器件可以包括：第一电极；发光结构，该发光结构包括第一电极上的第一半导体层、第一半导体层上的有源层以及有源层上的第二半导体层；第二半导体层上的第二电极；第二半导体层上的主体；主体上的源极和漏极区域；在源极和漏极区域之间的主体上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅极电极，其中，第二电极被电连接到源极区域和漏极区域中的一个。

根据实施例，发光器件封装可以包括封装主体；封装主体上的发光器件；以及成型构件，该成型构件包围发光器件，其中，该发光器件包括：第一电极；第一电极上的发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；发光结构上的第二电极；以及发光结构上控制开关，以用于控制发光结构。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2是发光器件的平面图；

图3是示出图1的发光器件的工作原理的电路视图；

图4至图12是示出制造根据第一实施例的发光器件的方法的截面图；

图13是根据第二实施例的发光器件的截面图；

图14是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；

图15是示出根据实施例的显示装置的电极透视图；

图16是示出根据另一实施例的显示装置的截面图；以及

图17是示出根据实施例的照明装置的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了这样的层的位置。

出于方便或清楚的目的，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图，并且图2是发光器件的平面图。

参考图1和图2，根据实施例的发光器件100包括：第一电极160；第一电极160上的粘附层158；第一电极160或者粘附层158的顶表面的外围区域上的保护构件155；粘附层158上的反射层157；反射层157上的欧姆接触层156；保护构件155和欧姆接触层156上的发光结构145；发光结构145上的第二电极170；以及控制开关120。

第一电极160支撑被形成在其上的多个层，并且具有电极的功能。详细地，第一电极160可以包括具有导电性的支撑构件。第一电极160，以及第二电极170将电力提供到发光结构145。

例如，第一电极160可以包括Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W和包括Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或者GaN的载体晶圆中的至少一个。

第一电极160能够被镀或者沉积在发光结构145下面，或者能够以片的形式附接，但是实施例不限于此。

粘附层158可以被形成在第一电极160上。粘附层158是被形成在反射层157下面的结合层。粘附层158的外侧表面被暴露，并且粘附层158接触反射层157以用作用于加强在第一电极160和反射层157之间的结合强度的中间体(mediator)。

粘附层158可以包括阻挡金属或者结合金属。例如，粘附层158可以包括从由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta组成的组中选择的至少一个。

如果通过除了结合方案之外的镀方案或者沉积方案形成第一电极160，那么粘附层158可以被省略。