[发明专利]电子器件和电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种电子器件的制造方法，包括：

在支撑衬底上形成下层部分，所述下层部分包括导电通孔以及覆盖所述通孔的第一绝缘部分；以及

在所述下层部分上形成中间层部分，所述中间层部分包括电连接到所述通孔的第一互连以及覆盖所述第一互连的第二绝缘部分，

其中，

所述的形成所述下层部分包括：

在用于形成电路的第一电路形成区域以及围绕该第一电路形成区域的第一区域上，形成所述第一绝缘部分；以及

在所述第一电路形成区域上形成所述通孔，以及

所述的形成所述中间层部分包括：

在所述第一电路形成区域上形成所述第一互连；

形成所述第二绝缘部分的膜以覆盖所述下层部分；以及

去除在所述第一区域上的所述第二绝缘部分，以使得露出所述下层部分的上表面的外围部分。

2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，还包括：

在所述中间层部分上形成上层部分，所述上层部分包括电连接到所述第一互连的第二互连以及覆盖所述第二互连的第三绝缘部分，

其中，所述的形成所述上层部分包括：

在所述第一电路形成区域上形成所述第二互连；

形成所述第三绝缘部分，以覆盖所述下层部分的上表面的外围部分和所述中间层部分；以及

去除在所述第一区域上的所述第三绝缘部分。

3.根据权利要求2所述的电子器件的制造方法，其中，

所述的在所述第一电路形成区域上形成所述第二互连包括：

在相比于所述第一电路形成区域而位于内侧的第二电路形成区域上形成所述第二互连，以及

所述的去除在所述第一区域上的所述第三绝缘部分包括：

去除在所述中间层部分的上表面上的、相比于所述第二电路形成区域而位于外侧的所述第三绝缘部分，以使得露出所述中间层部分的上表面的外围部分。

4.根据权利要求3所述的电子器件的制造方法，其中，

所述通孔位于所述第二电路形成区域的外侧上。

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的电子器件的制造方法，其中，

所述第二互连是多层互连。

6.根据权利要求2至4中的任一项所述的电子器件的制造方法，还包括：

在所述上层部分上安装电连接到所述第二互连的半导体芯片；

用制模树脂来覆盖所述下层部分的上表面的外围部分、所述中间层部分、所述上层部分和所述半导体芯片；

从所述下层部分去除所述支撑衬底；

在所述通孔上形成导电球；以及

沿着包含在所述第一区域中的用于切割的划线来切割。

7.一种电子器件，包括：

下层部分，所述下层部分包括导电通孔以及覆盖所述通孔的第一绝缘部分，使得在上表面和下表面处露出所述通孔；

电路层部分，所述电路层部分包括：层压的互连层，所述层压的互连层被形成在所述下层部分上并且电连接到所述通孔的露出的上表面；以及层压的绝缘层，所述层压的绝缘层覆盖所述互连层；

半导体芯片，所述半导体芯片安装在所述电路层部分上并且电连接到所述互连层；以及

制模树脂部分，所述制模树脂部分覆盖：位于所述下层部分的上表面的外围边缘处的第一外围部分、所述电路层部分以及所述半导体芯片，

其中，以平面图来看，所述电路层部分被形成在所述下层部分的内侧上，并且

所述下层部分比所述电路层部分薄。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述电路层部分包括：

中间层部分，所述中间层部分被形成在所述下层部分的上表面上，并且包括电连接到所述通孔的第一互连以及覆盖所述第一互连的第二绝缘部分；以及

上层部分，所述上层部分被形成在所述中间部分的上表面上，并且包括电连接到所述第一互连的第二互连以及覆盖所述第二互连的第三绝缘部分，

其中，所述中间层部分包括：

第二侧表面，所述第二侧表面被所述制模树脂覆盖；以及

第二外围部分，所述第二外围部分位于在所述上层部分的第三侧表面的外侧上的所述中间层部分的上表面上的外围边缘处，并且被所述制模树脂覆盖；以及

所述第一外围部分、所述第二侧表面、所述第二外围部分和所述第三侧表面被形成为阶梯状的形状。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其中，

所述通孔相比于所述第二侧表面位于内侧并且是在所述第三侧表面的外侧中。