[发明专利]金属半导体化合物薄膜和DRAM存储单元及其制备方法

权利要求书

1.一种金属半导体化合物薄膜，形成于半导体层与多晶半导体层之间，用于改善所述半导体层与所述多晶半导体层之间的接触，其特征在于，所述金属半导体化合物薄膜的厚度为2～5nm。

2.如权利要求1所述的金属半导体化合物薄膜，其特征在于，所述半导体层为硅或绝缘层上硅，所述多晶半导体层为掺杂多晶硅，所述金属半导体化合物薄膜为金属硅化物。

3.如权利要求1所述的金属半导体化合物薄膜，其特征在于，所述半导体层为锗或绝缘层上锗，所述多晶半导体层为掺杂多晶锗，所述金属半导体化合物薄膜为金属锗化物。

4.如权利要求2或3所述的金属半导体化合物薄膜，其特征在于，所述金属半导体化合物薄膜由金属与所述半导体层反应生成，其中，所述金属为镍、钴、钛中的任一种，或镍、钴、钛中的任一种并掺入铂。

5.如权利要求4所述的金属半导体化合物薄膜，其特征在于，所述金属中还掺入了钨和/或钼。

6.一种DRAM存储单元，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的MOS晶体管及电容，所述MOS晶体管的源区与一位线相连，其栅区与一字线相连，其漏区通过一缓冲层与所述电容相连，所述缓冲层的材料为多晶半导体，其特征在于，在所述漏区与所述缓冲层之间还包括金属半导体化合物薄膜，所述金属半导体化合物薄膜的厚度为2～5nm。

7.如权利要求6所述的DRAM存储单元，其特征在于，所述半导体衬底为硅或绝缘层上硅，所述多晶半导体为掺杂多晶硅，所述金属半导体化合物薄膜为金属硅化物。

8.如权利要求6所述的DRAM存储单元，其特征在于，所述半导体衬底为锗或绝缘层上锗，所述多晶半导体为掺杂多晶锗，所述金属半导体化合物薄膜为金属锗化物。

9.如权利要求7或8所述的DRAM存储单元，其特征在于，所述金属半导体化合物薄膜由金属与所述漏区的半导体层反应生成，其中，所述金属为镍、钴、钛中的任一种，或镍、钴、钛中的任一种并掺入铂。

10.如权利要求9所述的DRAM存储单元，其特征在于，所述金属中还掺入了钨和/或钼。

11.一种如权利要求6所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成MOS晶体管器件；

在所述MOS晶体管器件的漏区形成金属半导体化合物薄膜，所述金属半导体化合物薄膜的厚度为2～5nm；

在所述金属半导体化合物薄膜上形成缓冲层；

在所述半导体衬底上形成电容，所述电容与所述缓冲层相连。

12.如权利要求11所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，在所述MOS晶体管器件的漏区形成金属半导体化合物薄膜进一步包括如下步骤：

在所述MOS晶体管器件的漏区上沉积金属层，所述金属向所述漏区扩散；

去除所述漏区表面剩余的金属层；

进行退火，在所述MOS晶体管器件的漏区形成金属半导体化合物薄膜。

13.如权利要求12所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，在所述漏区上沉积金属层时的衬底温度为0～300℃。

14.如权利要求13所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为200～900℃。

15.如权利要求12所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅或绝缘层上硅，所述多晶半导体为掺杂多晶硅，所述金属半导体化合物薄膜为金属硅化物。

16.如权利要求12所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为锗或绝缘层上锗，所述多晶半导体为掺杂多晶锗，所述金属半导体化合物薄膜为金属锗化物。

17.如权利要求15或16所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，所述金属半导体化合物薄膜由金属与所述漏区的半导体层反应生成，其中，所述金属为镍、钴、钛中的任一种，或镍、钴、钛中的任一种并掺入铂。

18.如权利要求17所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，所述金属中还掺入了钨和/或钼。

19.如权利要求11所述的DRAM存储单元的制备方法，其特征在于，该方法还包括将所述MOS晶体管的源区与一位线相连的步骤，以及将所述MOS晶体管的栅区与一字线相连的步骤。