[发明专利]硅片电镀铜后的清洗方法有效
| 申请号： | 201110064597.2 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102140669A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C25D21/08 | 分类号： | C25D21/08;C25D7/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 镀铜 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，在对电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护。
2.如权利要求1所述的硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，所述脉冲水流的喷口正对所述硅片的中心，并保持5～10cm的高度。
3.如权利要求2所述的硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，所述脉冲水流为去离子水。
4.如权利要求3所述的硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，所述脉冲水流的流速为30～2000升/分钟，脉冲宽度为1～10秒，脉冲间隔时间为1～5秒。
5.如权利要求4所述的硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，当进行去边工艺时，所述脉冲水流的流速为30～300升/分钟，脉冲宽度为1～3秒，脉冲间隔时间为1～3秒。
6.如权利要求4所述的硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，当进行背清洗工艺时，所述脉冲水流的流速为1000～2000升/分钟，脉冲宽度为4～10秒，脉冲间隔时间为1～5秒。
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