[发明专利]硅片电镀铜后的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种硅片电镀铜后的清洗方法。

背景技术

随着单个器件变得越来越小，集成电路的运行速度越来越快，传统铝制程已经无法满足要求，因此，铜互连技术发展成为主流的半导体集成电路互连技术，而铜电镀工艺则胜过PVD、CVD等传统成膜工艺，成为铜互连技术中制备铜膜的主要工艺。

根据铜互连技术的要求，铜电镀设备不仅要制备出具有超填充性能的均匀铜膜，还要对电镀铜后的硅片进行边缘铜和背面铜的清洗处理，以此来配合随后的CMP工艺并控制铜沾污。这是因为电镀铜后的硅片边缘的铜膜容易脱落，造成在CMP研磨过程中大面积铜膜剥离的问题。

现有技术的硅片电镀铜后的清洗方法为：将电镀铜后的硅片置于清洗槽内，直接进行去边工艺和背清洗工艺，即利用高速腐蚀液对硅片边缘的铜镀层及硅片背面的铜镀层进行清洗，去除硅片边缘及硅片背面的铜镀层；其中，所述腐蚀液通常为可与铜反应的酸。同时，为了保护硅片正面的铜镀层，在去边工艺和背清洗工艺中采用特殊形状的防酸挡板来减少高速腐蚀液因撞击到挡板上而发生反溅的可能性，该防酸挡板的形状像倒置的漏斗。

虽然大部分的腐蚀流会因撞击到“漏斗口”而向下流动，但也有少量的支流会溅起，加上高速腐蚀流在撞击挡板时所形成的酸雾，不可避免地在硅片正面的铜表面形成腐蚀痕迹，造成缺陷。

因此，有必要对现有的硅片电镀铜后的清洗方法进行改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片电镀铜后的清洗方法，以减少铜镀层表面形成的缺陷。

为解决上述问题，本发明提出一种硅片电镀铜后的清洗方法，该方法在对电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护。

可选的，所述脉冲水流的喷口正对所述硅片的中心，并保持5～10cm的高度。

可选的，所述脉冲水流为去离子水。

可选的，所述脉冲水流的流速为30～2000升/分钟，脉冲宽度为1～10秒，脉冲间隔时间为1～5秒。

可选的，当进行去边工艺时，所述脉冲水流的流速为30～300升/分钟，脉冲宽度为1～3秒，脉冲间隔时间为1～3秒。

可选的于，当进行背清洗工艺时，所述脉冲水流的流速为1000～2000升/分钟，脉冲宽度为4～10秒，脉冲间隔时间为1～5秒。

与现有技术相比，本发明提供的硅片电镀铜后的清洗方法，通过在对电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护，有效减少了高速腐蚀液因反溅到硅片表面或形成酸雾而造成的硅片表面的铜镀层的缺陷。

附图说明

图1为本发明实施例提供的去边工艺中采用的脉冲水流的示意图；

图2为本发明实施例提供的背清洗工艺中采用的脉冲水流的示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的硅片电镀铜后的清洗方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，提供一种硅片电镀铜后的清洗方法，该方法在对电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护，从而有效减少了高速腐蚀液因反溅到硅片表面或形成酸雾而造成的硅片表面的铜镀层的缺陷。

请参考图1及图2，其中，图1为本发明实施例提供的去边工艺中采用的脉冲水流的示意图，图2为本发明实施例提供的背清洗工艺中采用的脉冲水流的示意图，结合图1及图2，本发明实施例提供的硅片电镀铜后的清洗方法，在对电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护；具体地，将所述脉冲水流的喷口正对所述硅片的中心，并保持5～10cm的高度，从而有效减少所述去边工艺或背清洗工艺中采用的高速腐蚀液反溅到硅片表面的可能性，并抑制酸雾的形成，控制清洗工艺造成的硅片正面的铜镀层的表面缺陷，提高铜镀层的性能。

进一步地，所述脉冲水流为去离子水，从而避免引入其它杂质。