[发明专利]画素结构的制作方法及修补方法与修补后的画素结构

权利要求书

1.一种画素结构的修补方法，适于修补一画素结构，该画素结构配置于一基板，且该画素结构包括一主动组件、一保护层以及一画素电极，该主动组件包括一闸极、一闸绝缘层、一半导体层以及一金属层，其中该闸极配置于该基板上，该闸绝缘层位于该半导体层与该闸极之间，该半导体层具有一通道区以及一暴露出部分该闸绝缘层的开口，该金属层具有一第一汲极区块、一第二汲极区块以及一源极区块，该源极区块与该第二汲极区块位于该通道区的两侧上，该源极区块位于该第一汲极区块与该第二汲极区块之间，且该源极区块与该第一汲极区块位于该开口的两侧上，该保护层覆盖该主动组件并与被该开口所暴露出的部分该闸绝缘层直接接触，该保护层具有一第一接触窗口，该画素电极配置于该保护层上且透过该第一接触窗口与该第一汲极区块电性连接，其特征在于，该修补方法包括：

形成一贯穿该画素电极与该保护层的第二接触窗口，其中该第二接触窗口暴露出部分该第二汲极区块；以及

形成一导电层于该第二接触窗口内，该画素电极透过该导电层与该第二汲极区块电性连接。

2.根据权利要求1所述的画素结构的修补方法，其特征在于：形成所述的第二接触窗口的方法包括雷射切除制程。

3. 根据权利要求1所述的画素结构的修补方法，其特征在于：形成所述的导电层的方法包括局部化学气相沉积成膜法。

4. 根据权利要求3所述的画素结构的修补方法，其特征在于：所述导电层的材质包括钨。

5. 根据权利要求1所述画素结构的修补方法，其特征在于：形成所述导电层的方法包括透过一熔接步骤熔接该第二汲极区块。

6. 根据权利要求5所述的画素结构的修补方法，其特征在于：所述熔接步骤包括一雷射熔接制程。

7. 一种修补后的画素结构，其特征在于，包括：

一主动组件、一保护层、一画素电极以及一导电层；所述的主动组件配置于一基板上，包括：

一闸极，位于该基板上；

一闸绝缘层，配置于该基板上且覆盖该闸极；

一半导体层，配置于该闸绝缘层上，且具有一通道区以及一暴露出部分该闸绝缘层的开口；以及

一金属层，配置于该半导体层上，且具有一第一汲极区块、一第二汲极区块以及一源极区块，其中该源极区块与该第二汲极区块位于该通道区的两侧上，该源极区块位于该第一汲极区块与该第二汲极区块之间，且该源极区块与该第一汲极区块位于该开口的两侧上；

所述的保护层覆盖该主动组件并与被该开口所暴露出的部分该闸绝缘层直接接触，该保护层具有一第一接触窗口；

所述的画素电极配置于该保护层上，且具有一贯穿该画素电极与该保护层的第二接触窗口，其中该画素电极透过该第一接触窗口与该第一汲极区块电性连接，而该第二接触窗口暴露出部分该第二汲极区块；以及

所述的导电层配置于该第二接触窗口内，且该画素电极透过该导电层与该第二汲极区块电性连接。

8. 根据权利要求7所述的修补后的画素结构，其特征在于：所述导电层的材质包括钨。

9. 根据权利要求7所述的修补后的画素结构，其特征在于：所述导电层的材质与该第二汲极区块的材质相同。

10. 一种画素结构的制作方法，包括：

依序形成一闸极、一闸绝缘层、一半导体层以及一金属层于一基板上；

形成一光阻层于该金属层上；

以一灰阶光罩对该光阻层进行曝光，其中该灰阶光罩具有一透光区、一半透光区以及一遮光区，其中该透光区位于该半透光区与该遮光区之间；

对曝光后的该光阻层进行一显影，以形成一图案化光阻层，其中该图案化光阻层具有一暴露出部分该金属层的贯口以及一盲孔；

以该图案化光阻层为一蚀刻罩幕，移除该贯口所暴露出的部分该金属层及其下方的部分该半导体层，以及移除部分对应于该盲孔下方的该金属层及其下方的部分该半导体层，而于该半导体层上形成一暴露出部分该闸绝缘层的开口以及一通道区，且将该金属层划分为一第一汲极区块、一第二汲极区块以及一源极区块，其中该源极区块与该第二汲极区块位于该通道区的两侧上，该源极区块位于该第一汲极区块与该第二汲极区块之间，且该源极区块与该第一汲极区块位于该开口的两侧上；

移除该图案化光阻层；

形成一保护层于该基板上，其中该保护层具有一第一接触窗口，且该保护层覆盖该金属层并与被该开口所部分该闸绝缘层直接接触；

形成一画素电极于该保护层上，其中该画素电极透过该第一接触窗口与该第一汲极区块电性连接；

形成一贯穿该画素电极与该保护层的第二接触窗口，其中该第二接触窗口暴露出部分该第二汲极区块；以及

形成一导电层于该第二接触窗口内，该画素电极透过该导电层与该第二汲极区块电性连接。