[发明专利]画素结构的制作方法及修补方法与修补后的画素结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种修补方法、修补后的结构以及画素结构的制作方法，且特别是有关于一种画素结构的修补方法、修补后的画素结构以及一种使用较少光罩的画素结构的制作方法。

背景技术

液晶显示器主要由薄膜晶体管数组基板、彩色滤光数组基板和液晶层所构成，其中薄膜晶体管数组基板是由多个数组排列的画素结构所构成。一般来说，画素结构的制作方法包括下述步骤。首先，在一基板上形成一闸极。接着，在基板上形成一闸绝缘层以覆盖闸极。然后，在闸绝缘层上形成一半导体通道层。之后，于半导体通道层上方形成一源极以及一汲极。接着，在基板上形成一保护层以覆盖半导体通道层、源极以及汲极。然后，在保护层上制作一接触窗口。之后，于保护层上形成一画素电极，此画素电极是部分填入接触窗口中而与汲极电性连接。如此，画素结构的制作便大致完成。

如上所述，习知的画素结构的制作主要是藉由第一光罩形成闸极，第二光罩形成半导体通道层，第三光罩形成源极及汲极，第四光罩形成接触窗口，而第五光罩形成画素电极。因此，习知的画素结构的制作是采用五道光罩的制程，因此制作步骤较多，制作时间较长。当制作步骤较繁复时，画素结构产生缺陷的机会较高，生产良率也较低。然而，随着薄膜晶体管液晶显示器朝大尺寸制作的发展趋势，薄膜晶体管数组基板的制作将会面临许多的问题与挑战，例如良率降低以及产能下降等等。因此若是能减少画素结构的光罩数，即降低薄膜晶体管组件制作的曝光制程次数，即可以减少制造时间、增加产能，进而降低制造成本且亦可提高制作良率。

目前业界已提出多种方法，以降低光罩的数目。其中一种方式是使用半调式光罩(half tone mask, HTM)或灰调式光罩(gray tone mask, GTM)，来达到减少光罩数目的目的。此方法主要是以一个半调式或灰调式光罩当做两个光罩来使用，在半调曝光与显影后，蚀刻出闸极区，再接着继续蚀刻出源极与汲极区。但是，使用半调式或灰调式光罩时在光阻受到光学曝光的控制较为不易，因此所制作出的画素结构易有短路或点瑕疵(dot defect)的问题。然而，若直接报废丢弃这些有瑕疵的液晶显示面板，将会使得制造成本大幅增加。一般来说，只依赖改善制程技术来实现零瑕疵率是非常困难的，因此画素结构的瑕疵修补技术变得相当地重要。

发明内容

本发明的一目的是提供一种画素结构的修补方法，用以修补有瑕疵的画素结构，以提高产品的良率。

本发明的另一目的是提供一种修补后的画素结构，其是利用上述的修补方式所形成的画素结构。

本发明的再一目的是提供一种画素结构的制作方法，可以减少所使用的光罩数且具有较佳的产品可靠度。

本发明提出一种画素结构的修补方法，其适于修补一画素结构。画素结构配置于一基板，且画素结构包括一主动组件、一保护层以及一画素电极。主动组件包括一闸极、一闸绝缘层、一半导体层以及一金属层。闸极配置于基板上。闸绝缘层位于半导体层与闸极之间。半导体层具有一通道区以及一暴露出部分闸绝缘层的开口。金属层具有一第一汲极区块、一第二汲极区块以及一源极区块。源极区块与第二汲极区块位于通道区的两侧上。源极区块位于第一汲极区块与第二汲极区块之间。源极区块与第一汲极区块位于开口的两侧上。保护层覆盖主动组件并与被开口所暴露出的部分闸绝缘层直接接触。保护层具有一第一接触窗口。画素电极配置于保护层上且透过第一接触窗口与第一汲极区块电性连接。修补方法包括：形成一贯穿画素电极与保护层的第二接触窗口，其中第二接触窗口暴露出部分第二汲极区块；以及形成一导电层于第二接触窗口内，画素电极透过导电层与第二汲极区块电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的形成第二接触窗口的方法包括雷射切除制程。

在本发明的一实施例中，上述的形成导电层的方法包括局部化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)成膜法。

在本发明的一实施例中，上述的导电层的材质包括钨。

在本发明的一实施例中，上述的形成导电层的方法包括透过一熔接步骤熔接第二汲极区块。

在本发明的一实施例中，上述的熔接步骤包括一雷射熔接制程（laser welding）。