[发明专利]衬底台的盖、光刻设备的衬底台、光刻设备和器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于衬底台的盖、一种用于光刻设备的衬底台、一种光刻设备以及一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高的折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体为蒸馏水，尽管也可以应用其他液体。本发明的一实施例将参考液体进行描述。然而，其他液体可能也是合适的，尤其是润湿性流体、不可压缩的流体和/或折射率比空气高的流体，期望地是折射率比水高的流体。除气体之外的流体尤其是期望的。这样能够实现更小特征的成像，因为曝光辐射在液体中将会具有更短的波长。(液体的作用也可以看作提高系统的有效数值孔径(NA)并且也增加了焦深。)还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮物(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃(例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液)。

将衬底或衬底和衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利US4,509,852)意味着在扫描曝光过程中应当加速大体积的液体。这可能需要额外的或更大功率的电动机，而且液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。

已经提出的其它布置包括受限的浸没系统和全润湿浸没系统。在受限的浸没系统中，液体供给系统通过使用液体限制系统仅将液体提供在衬底的局部区域上和在投影系统的最终元件与衬底之间(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)。提出来的一种用于设置上述布置方案的方法在公开号为WO99/49504的PCT专利申请出版物中公开了。

在全润湿浸没系统中，如在公开号为WO 2005/064405的PCT专利申请出版物中公开的，浸没液体不受限制。在这样的系统中，衬底的整个顶表面被覆盖在液体中。这可能是有利的，因为然后所述衬底的整个顶表面被暴露于大致相同的条件。这可以有利于衬底的温度控制和处理。在WO 2005/064405中，液体供给系统提供液体至投影系统的最终元件和衬底之间的间隙中。液体被允许泄漏在衬底的其余部分上。在衬底台的边缘处的阻挡件防止液体流走，使得可以以一种可控制的方式从衬底台的所述顶表面移除液体。

浸没系统可以是流体处理系统或设备。在浸没系统中，浸没流体由流体处理系统、结构或设备来处理。在一实施例中，流体处理系统可供给浸没流体并且因此可以是流体供给系统。在一实施例中，流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，并且因此是流体限制系统。在一实施例中，流体处理系统可以给浸没流体提供阻挡件，并且因此可以是阻挡构件，例如流体限制结构。在一实施例中，流体处理系统可以生成或使用气体流，例如帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气体流可以形成密封，以限制浸没流体，使得流体处理结构可以被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。流体处理系统可以位于投影系统和衬底台之间。在一实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在这种情形中，流体处理系统可以是液体处理系统。在对上述的描述的提及中，在这一段落中对相对于流体所限定的特征的提及可以被理解成包括相对于液体所限定的特征。

在流体处理系统或液体限制结构中，液体被限制到空间中，例如限制结构中的空间。所述空间可以由限制结构的主体、下方的表面(例如衬底台、被支撑到衬底台上的衬底、遮蔽构件和/或测量台)以及在局部区域浸没系统的情形中的在流体处理系统或液体限制结构与下方的结构之间(即在浸没空间中)的液体弯液面所限定。在全润湿的系统的情形中，液体被允许从浸没空间流出到衬底和/或衬底台的顶表面上。