[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201110066714.9 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102487045A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 片村幸雄;种泰雄;芳村淳;岩见文宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/60;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;刘瑞东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在半导体晶片的切割区域形成沟槽，其中在上述半导体晶片的第1面上经由上述切割区域形成有俯视呈大致方形形状的多个芯片区域；以及
在上述芯片区域的上述第1面的相反侧的第2面涂敷粘接剂；
在上述涂敷步骤中，在俯视的上述芯片区域的至少1个角部，使上述粘接剂从俯视成为与上述切割区域的边界的边溢出到上述沟槽。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在从上述1个角部延伸的上述边的中央部分，不使上述粘接剂从上述边溢出到上述沟槽。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在位于上述芯片区域的1个边的两端的角部使上述粘接剂溢出到上述沟槽而涂敷上述粘接剂。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在上述芯片区域的第1面上，沿上述1个边形成电极焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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