[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

相关申请的引用

本申请享受以2010年12月1日申请的日本专利申请2010-268448号为基础申请的优先权的权益，其全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置的制造工序，大致分为在半导体晶片的表面侧形成半导体电路和/或布线层等的工序，以及根据芯片形状将半导体晶片切断(单片化)的工序。近年来，随着半导体装置的高性能化，高集成化，小型、薄型化等，半导体晶片倾向于厚度薄化。在加工这样的半导体晶片时，作为晶片的厚度薄化和半导体装置的单片化兼顾的加工工序，适合使用称为先切割的工序。在先切割工序中，在将单片化的芯片从半导体晶片分离之前，有在芯片的一面涂敷粘接剂而形成粘接层的情况。

发明内容

在以往的技术中，希望抑制涂敷的粘接剂的所谓凹陷的发生。

鉴于上述问题，本发明的实施例的目的在于提供能够抑制涂敷的粘接剂的凹陷的发生的半导体装置的制造方法。

实施例的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的切割区域形成沟槽，其中在半导体晶片的第1面上经由上述切割区域形成有俯视呈大致方形形状的多个芯片区域。另外，在芯片区域的第1面的相反侧的第2面涂敷粘接剂。在该涂敷工序中，在俯视的芯片区域的至少一个角部，从俯视和切割区域的临界的边使粘接剂溢出到沟槽。

根据本发明的实施例，提供能够抑制涂敷的粘接剂的凹陷的发生的半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是用于说明实施例的半导体装置的制造方法的流程图。

图2是从第1面侧看半导体晶片的图。

图3是沿图2所示A-A线的向视剖面图。

图4是示出实施例的半导体装置的制造方法的一工序的图。

图5是沿图2所示A-A线的向视剖面图，是示出经过图4的工序后的状态的图。

图6是示出实施例的半导体装置的制造方法的一工序的图。

图7是沿图2所示A-A线的向视剖面图，是示出经过图6的工序后的状态的图。

图8是示出实施例的半导体装置的制造方法的一工序的图。

图9是沿图2所示A-A线的向视剖面图，是示出经过图8的工序后的状态的图。

图10是从第2面侧看半导体晶片的图，是示出经过图8的工序后的状态的图。

图11是示出对半导体晶片的粘接剂的涂敷区域的图。

图12是沿图11所示B-B线的向视剖面图。

图13是沿图11所示C-C线的向视剖面图。

图14是涂敷装置的侧视图。

图15是沿图14所示D-D线的向视图。

图16是示出变形例的半导体装置的制造方法中粘接剂的涂敷区域的图。

图17是举例示出用变形例的半导体制造方法制造的芯片的层叠情况的图。

图18是示出对半导体晶片的粘接剂的涂敷区域的图。

图19是示出粘接剂的涂敷区域的其他例的图。

具体实施方式

以下参照附图对实施例的半导体装置的制造方法进行详细地说明。另外，本发明并不局限于该实施例。

(第1实施例)

图1是用于说明实施例的半导体装置的制造方法的流程图。图2是从第1面侧看半导体晶片的图。图3是沿图2所示A-A线的向视剖面图。图4是示出实施例的半导体装置的制造方法的一工序的图。图5是沿图2所示A-A线的向视剖面图，是示出经过图4的工序后的状态的图。图6是示出实施例的半导体装置的制造方法的一工序的图。图7是沿图2所示A-A线的向视剖面图，是示出经过图6的工序后的状态的图。图8是示出实施例的半导体装置的制造方法的一工序的图。图9是沿图2所示A-A线的向视剖面图，是示出经过图8的工序后的状态的图。图10是从第2面侧看半导体晶片的图，是示出经过图8的工序后的状态的图。

如图2和图3所示，准备在表面侧形成了半导体电路等的半导体晶片1。半导体晶片1具有设置了多个芯片区域2的第1面(表面)1a和其相反侧的第2面(背面)1b。

在芯片区域2上形成包含半导体电路和/或布线层的半导体元件部。在多个芯片区域2之间设置有切割(dicing)区域3，沿着该切割区域将半导体晶片1切断，多个芯片区域2被分别单片化，从而制造半导体装置。