[发明专利]进行采样相位设定的主控制器、半导体装置以及方法无效
申请号: | 201110067685.8 | 申请日: | 2011-03-21 |
公开(公告)号: | CN102385912A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 村山正佳 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C11/4093 | 分类号: | G11C11/4093 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进行 采样 相位 设定 主控 半导体 装置 以及 方法 | ||
1.一种进行接收数据的采样的主控制器,其特征在于,包括:
保持可变数据采样(VDS)时的相位偏移量的VDS相位寄存器;
保持固定数据采样(FDS)时的相位偏移量的FDS相位寄存器;
表示以VDS和FDS中的哪个模式进行数据采样的模式设定部;
根据上述模式设定部的设定值,选择在上述VDS相位寄存器以及FDS相位寄存器中的一方所设定的相位偏移量,并作为采样位置进行提供的采样位置设定部;以及
根据从上述采样位置设定部所提供的偏移量,使输入时钟信号的相位偏移并作为采样时钟进行提供的时钟相位偏移部。
2.根据权利要求1所记载的主控制器,其特征在于,还包括:
设定是否执行FDS用的自动调谐的自动调谐寄存器,上述采样位置设定部在由上述FDS自动调谐寄存器设定了FDS自动调谐时,选择在FDS相位寄存器上所设定的相位偏移量;
在初始化时通过调谐自动设定FDS用采样位置的单元。
3.根据权利要求1所记载的主控制器,其特征在于,还包括:
切换将内部时钟和使该内部时钟在外部延迟线经过延迟的外部时钟的哪个用作采样时钟的切换部。
4.根据权利要求1所记载的主控制器,其特征在于,上述接收数据是从SD卡所发送的数据。
5.一种半导体装置,具备进行接收数据的采样的主控制器,该半导体装置的特征在于,包括:
保持可变数据采样(VDS)时的相位偏移量的VDS相位寄存器;
保持固定数据采样(FDS)时的相位偏移量的FDS相位寄存器;
表示以VDS和FDS哪个模式进行数据采样的模式设定部;
根据上述模式设定部的设定值,选择在上述VDS相位寄存器以及FDS相位寄存器中的一方所设定的相位偏移量,并作为采样位置进行提供的采样位置设定部;以及
根据从上述采样位置设定部所提供的偏移量,使输入时钟信号的相位偏移并作为采样时钟进行提供的时钟相位偏移部。
6.根据权利要求5所记载的半导体装置,其特征在于,还包括:
设定是否执行FDS用的自动调谐的自动调谐寄存器,在由上述FDS自动调谐寄存器设定了FDS自动调谐时,上述采样位置设定部选择在FDS相位寄存器上所设定的相位偏移量;以及
在初始化时通过调谐自动设定FDS用采样位置的单元。
7.根据权利要求5所记载的半导体装置,其特征在于,还包括:
切换将内部时钟和使该内部时钟在外部延迟线经过延迟的外部时钟中的哪个用作采样时钟的切换部。
8.根据权利要求5所记载的半导体装置,其特征在于,上述接收数据是从SD卡所发送的数据。
9.根据权利要求5所记载的半导体装置,其特征在于,还包括存储器装置,上述接收数据从上述存储器装置进行发送,其中,上述存储器装置和上述主控制器构成在一个芯片上。
10.一种进行接收数据的采样的方法,其特征在于,包括以下步骤:
在VDS相位寄存器中保持可变数据采样(VDS)时的相位偏移量,
在FDS相位寄存器中保持固定数据采样(FDS)时的相位偏移量,
用模式设定部表示以VDS和FDS哪个模式进行数据采样,
根据上述模式设定部的设定值,选择在上述VDS相位寄存器以及FDS相位寄存器中的一方所设定的相位偏移量,
根据所选择的上述相位偏移量,使输入时钟信号的相位偏移并作为采样时钟进行提供。
11.根据权利要求10所记载的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
通过自动调谐寄存器设定是否执行FDS用的自动调谐,
在由上述FDS自动调谐寄存器设定了FDS自动调谐时,选择在FDS相位寄存器上所设定的相位偏移量,
在初始化时通过调谐自动设定FDS用采样位置。
12.根据权利要求10所记载的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
切换将内部时钟和使该内部时钟在外部延迟线经过延迟的外部时钟的哪个用作采样时钟。
13.根据权利要求10所记载的方法,其特征在于,上述接收数据是从SD卡所发送的数据。
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