[发明专利]光器件晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201110068023.2 申请日: 2011-03-21
公开(公告)号: CN102201502A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 星野仁志 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 器件 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种光器件晶片的加工方法,其是将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法,在所述光器件晶片中,在基板的表面层叠有光器件层,并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域形成了光器件,所述光器件晶片的加工方法的特征在于,

该光器件晶片的加工方法包括以下工序:

激光加工槽形成工序,在该激光加工槽形成工序中,沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有吸收性的波长的激光光线,在基板的表面或者背面形成成为断裂起点的激光加工槽;

变质物质除去工序,在该变质物质除去工序中,将以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具定位在形成于基板的激光加工槽,使该切削刀具一边旋转一边循着激光加工槽的壁面相对移动,由此,除去在激光加工槽形成时生成的变质物质,并且将激光加工槽的壁面加工成粗面;以及

晶片分割工序,在该晶片分割工序中,对光器件晶片施加外力,使光器件晶片沿除去了变质物质的加工槽断裂,从而分割成一个个光器件。

2.根据权利要求1所述的光器件晶片的加工方法,其中,

在所述激光加工槽形成工序中,从基板的背面侧沿间隔道照射激光光线,在基板的背面形成激光加工槽。

3.根据权利要求2所述的光器件晶片的加工方法,其中,

所述光器件晶片的加工方法还具有光器件层分离工序,在该光器件层分离工序中,使用以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具,沿间隔道,对在基板的背面形成有激光加工槽的光器件晶片的光器件层进行切削,使光器件层沿间隔道分离。

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