[发明专利]光器件晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法，所述光器件晶片在基板的表面层叠有光器件层、并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成有光器件。

背景技术

在光器件制造工序中，在大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅基板的表面层叠由氮化镓类化合物半导体构成的光器件层，并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。然后，通过沿着间隔道切断光器件晶片，将形成有光器件的区域分割开来，从而制造出一个个光器件。

通常，通过被称为划片机(dicer)的切削装置来进行上述光器件晶片的沿着间隔道的切断。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持被加工物；切削构件，其用于对保持于所述卡盘工作台的被加工物进行切削；以及切削进给构件，其使卡盘工作台与切削构件相对移动。切削构件包括旋转主轴、装配于该旋转主轴的切削刀具、以及驱动旋转主轴旋转的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基座和装配于该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃例如通过电铸将粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定于基座而形成，并且其厚度形成为20μm左右。

然而，由于构成光器件晶片的蓝宝石基板、碳化硅基板等的莫氏硬度高，所以利用上述切削刀具进行的切断未必容易。因此，不能使切削刀具的切入量较大，而需要多次实施切削工序来切断光器件晶片，所以存在生产性较差的问题。

为了消除上述问题，作为沿间隔道分割光器件晶片的方法，提出了这样的方法：通过沿间隔道照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线来形成作为断裂起点的激光加工槽，通过沿着形成有该作为断裂起点的激光加工槽的间隔道施加外力来进行断裂(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

但是，当沿着在构成光器件晶片的蓝宝石基板的表面上形成的间隔道照射相对于蓝宝石基板具有吸收性的波长的激光光线来形成激光加工槽时，存在这样的问题：在发光二极管等光器件的侧壁面上附着有在激光加工时生成的变质物质使得光器件的辉度降低，从而光器件的品质降低。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种不使光器件的品质降低就能够分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种光器件晶片的加工方法，其是将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法，在所述光器件晶片中，在基板的表面层叠有光器件层，并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域形成了光器件，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，

该光器件晶片的加工方法包括以下工序：

激光加工槽形成工序，在该激光加工槽形成工序中，沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有吸收性的波长的激光光线，在基板的表面或者背面形成成为断裂起点的激光加工槽；

变质物质除去工序，在该变质物质除去工序中，将以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具定位在形成于基板的激光加工槽，使该切削刀具一边旋转一边循着激光加工槽的壁面相对移动，由此，除去在激光加工槽形成时生成的变质物质，并且将激光加工槽的壁面加工成粗面；以及

晶片分割工序，在该晶片分割工序中，对光器件晶片施加外力，使光器件晶片沿除去了变质物质的加工槽断裂，从而分割成一个个光器件。

在上述激光加工槽形成工序中，从基板的背面侧沿间隔道照射激光光线，在基板的背面形成激光加工槽。

另外，所述光器件晶片的加工方法优选还实施光器件层分离工序，在该光器件层分离工序中，使用以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具，沿间隔道，对在基板的背面形成有激光加工槽的光器件晶片的光器件层进行切削，使光器件层沿间隔道分离。

在本发明所涉及的光器件晶片的加工方法中，实施激光加工槽形成工序并实施变质物质除去工序，其中所述变质物质除去工序中，将以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具定位在形成于光器件晶片的基板的激光加工槽，使该切削刀具一边旋转一边循着激光加工槽的壁面相对移动，由此，除去在激光加工槽形成时生成的变质物质，并且将激光加工槽的壁面加工成粗面，因此，分割成一个一个的光器件被除去了使基板的侧壁面吸收光而导致辉度降低的变质物质，并在此基础上加工成粗面，因此能够使光有效地放射出来，从而提高辉度。

附图说明

图1是表示按照本发明所涉及的光器件晶片的加工方法来进行加工的光器件晶片的立体图和主要部分放大剖视图。